[发明专利]OLED背板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810805876.1 申请日: 2018-07-20
公开(公告)号: CN109119440B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 周星宇 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: oled 背板 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种OLED背板,其特征在于,包括:衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上并间隔设置的有源层(43)和透明导体层(44)、设于所述有源层(43)上的栅极绝缘层(52)、设于所述栅极绝缘层(52)上的栅极(60)、覆盖所述缓冲层(30)、有源层(43)、透明导体层(44)及栅极(60)的层间绝缘层(70)、设于所述层间绝缘层(70)上的源极(81)和漏极(82)、设于所述层间绝缘层(70)、源极(81)及漏极(82)上的钝化层(90)、设于所述钝化层(90)上的平坦层(100)、设于所述平坦层(100)上的像素电极(110)以及设于所述平坦层(100)及像素电极(110)上的像素定义层(120);

所述透明导体层(44)与像素电极(110)形成透明电容结构;所述像素定义层(120)在该透明电容结构上方限定出OLED发光区;

所述像素电极(110)通过贯穿所述钝化层(90)及平坦层(100)的第三过孔(101)与漏极(82)接触,并通过贯穿所述钝化层(90)及平坦层(100)的第一开口(102)与层间绝缘层(70)接触;

所述像素定义层(120)设有暴露出位于所述透明导体层(44)上方的像素电极(110)的第二开口(121),该第二开口(121)在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区;

所述缓冲层(30)的厚度为所述缓冲层(30)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合;所述有源层(43)与透明导体层(44)的厚度均为所述有源层(43)与透明导体层(44)的材料均为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物及铟镓锌锡氧化物中的一种;所述栅极绝缘层(52)的厚度为所述栅极绝缘层(52)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合;所述栅极(60)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金;所述栅极(60)的厚度为所述层间绝缘层(70)的厚度为所述层间绝缘层(70)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合;所述源极(81)和漏极(82)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金;所述源极(81)和漏极(82)的厚度均为所述钝化层(90)的厚度为所述钝化层(90)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。

2.如权利要求1所述的OLED背板,其特征在于,所述有源层(43)包括位于所述栅极绝缘层(52)下方的沟道区(431)以及位于所述沟道区(431)两侧的源极接触区(432)及漏极接触区(433);所述源极(81)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第一过孔(71)与源极接触区(432)接触,所述漏极(82)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第二过孔(72)与漏极接触区(433)接触。

3.如权利要求1所述的OLED背板,其特征在于,所述层间绝缘层(70)作为透明电容结构的介电层。

4.如权利要求1所述的OLED背板,其特征在于,还包括设于所述衬底基板(10)与缓冲层(30)之间并位于有源层(43)下方的遮光层(20)。

5.如权利要求4所述的OLED背板,其特征在于,所述遮光层(20)的厚度为所述遮光层(20)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金。

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