[发明专利]OLED背板及其制作方法有效
申请号: | 201810805876.1 | 申请日: | 2018-07-20 |
公开(公告)号: | CN109119440B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 周星宇 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 背板 及其 制作方法 | ||
1.一种OLED背板,其特征在于,包括:衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的缓冲层(30)、设于所述缓冲层(30)上并间隔设置的有源层(43)和透明导体层(44)、设于所述有源层(43)上的栅极绝缘层(52)、设于所述栅极绝缘层(52)上的栅极(60)、覆盖所述缓冲层(30)、有源层(43)、透明导体层(44)及栅极(60)的层间绝缘层(70)、设于所述层间绝缘层(70)上的源极(81)和漏极(82)、设于所述层间绝缘层(70)、源极(81)及漏极(82)上的钝化层(90)、设于所述钝化层(90)上的平坦层(100)、设于所述平坦层(100)上的像素电极(110)以及设于所述平坦层(100)及像素电极(110)上的像素定义层(120);
所述透明导体层(44)与像素电极(110)形成透明电容结构;所述像素定义层(120)在该透明电容结构上方限定出OLED发光区;
所述像素电极(110)通过贯穿所述钝化层(90)及平坦层(100)的第三过孔(101)与漏极(82)接触,并通过贯穿所述钝化层(90)及平坦层(100)的第一开口(102)与层间绝缘层(70)接触;
所述像素定义层(120)设有暴露出位于所述透明导体层(44)上方的像素电极(110)的第二开口(121),该第二开口(121)在所述透明电容结构上方限定出OLED发光区;
所述缓冲层(30)的厚度为所述缓冲层(30)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合;所述有源层(43)与透明导体层(44)的厚度均为所述有源层(43)与透明导体层(44)的材料均为铟镓锌氧化物、铟锌锡氧化物及铟镓锌锡氧化物中的一种;所述栅极绝缘层(52)的厚度为所述栅极绝缘层(52)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合;所述栅极(60)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金;所述栅极(60)的厚度为所述层间绝缘层(70)的厚度为所述层间绝缘层(70)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合;所述源极(81)和漏极(82)的材料均为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金;所述源极(81)和漏极(82)的厚度均为所述钝化层(90)的厚度为所述钝化层(90)为氧化硅层及氮化硅层中的一种或两种的组合。
2.如权利要求1所述的OLED背板,其特征在于,所述有源层(43)包括位于所述栅极绝缘层(52)下方的沟道区(431)以及位于所述沟道区(431)两侧的源极接触区(432)及漏极接触区(433);所述源极(81)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第一过孔(71)与源极接触区(432)接触,所述漏极(82)通过贯穿所述层间绝缘层(70)的第二过孔(72)与漏极接触区(433)接触。
3.如权利要求1所述的OLED背板,其特征在于,所述层间绝缘层(70)作为透明电容结构的介电层。
4.如权利要求1所述的OLED背板,其特征在于,还包括设于所述衬底基板(10)与缓冲层(30)之间并位于有源层(43)下方的遮光层(20)。
5.如权利要求4所述的OLED背板,其特征在于,所述遮光层(20)的厚度为所述遮光层(20)的材料为钼、铝、铜及钛中的一种或多种组成的合金。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的