[发明专利]超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法

权利要求书

1.超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法，其特征是：包括步骤如下：

(1)采用有限元计算软件对安装有磁通道的超导回旋加速器边缘场的分布进行计算，得出被磁通道改变的边缘场分布数据；

(2)根据步骤( 1) 计算得出的数据，在磁通道临近的磁极表面上安装有若干组垫补块，所述垫补块的长为X₀，宽为Y₀，高为Z₀，其长、宽、高的边界满足X₁≤X₀≤X₂，Y₁≤Y₀≤Y₂，Z₁≤Z₀≤Z₂，其在点(x，y，z)处的磁场可解析为：

其中，

X_i＝x-x_i

Y_j＝y-y_j

d＝(z₂-z₁)/2，z_c＝(z₁+z₂)/2

Z⁺＝d+(z-z_c),Z^-＝d-(z-z_c)

(3)通过模拟仿真计算软件，计算垫补块的垫补效果数据，然后将测量的数据与步骤(1) 有限元计算软件计算的数据进行对比，根据对比结果调整垫补块的尺寸以及安装位置，并进行重复测量、对比结果，最终得到满足磁场等时性条件的边缘场分布。

2.根据权利要求1所述的超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法，其特征在于：每组垫补块以加速器磁场中心平面对称分别安装在上下磁极表面。

3.根据权利要求1所述的超导回旋加速器中引出磁通道元件的边缘场垫补方法，其特征在于：所述垫补块与磁极采用相同的导磁性材料。