[发明专利]一种高性能硅负极活性材料及其制备方法有效
申请号: | 201810808543.4 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN108963229B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 肖伟;张开悦;赵丽娜;刘建国;严川伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院金属研究所 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 张志伟 |
地址: | 110016 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 性能 负极 活性 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,该硅负极活性材料具有核壳结构,包括纳米硅核层及纳米硅表面包覆的导电功能壳层,纳米硅核层为硅单质颗粒,导电功能壳层的导电功能包括电子导电和离子导电;
所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,包括如下步骤:
1)导电涂层溶液的配制:以导电聚合物、炭材料和成膜树脂为主要材料,配制成导电涂层溶液;
2)纳米硅分散液的配制:将纳米硅颗粒分散在挥发性溶剂中,并加入增稠剂,在超声辅助处理后静置,备用;
3)核壳结构硅材料制备:按照导电涂层溶液走壳层、纳米硅分散液走核层,基于静电纺丝造粒工艺,采用同轴静电纺丝法制备核壳结构复合硅活性材料;
4)材料后处理: 制备结束后,将复合硅活性材料在溶剂中浸渍,脱除成膜树脂,最后经干燥操作,获得高性能硅负极活性材料。
2.按照权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,纳米硅核层参与电极反应,发挥高容量特性,导电功能壳层发挥导电功能和限制纳米硅体积变化的功能。
3.按照权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,硅单质平均粒径为20~800nm,壳层厚度为5~150nm。
4.按照权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,壳层具有纳米多孔结构,平均孔径为10nm~50nm,孔隙率为35~70%,显示出离子透过功能,同时该多孔结构的壳层限制脱/嵌锂离子过程硅颗粒的体积变化,延长硅电极的使用寿命。
5.根据权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,导电聚合物为聚苯胺、聚二苯胺、聚三苯胺、聚噻吩、聚噻吩衍生物、聚芴或聚芴衍生物;炭材料为高导电性炭材料:纳米碳纤维、碳纳米管或石墨烯;成膜树脂为树脂材料:聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇或聚环氧乙烷;
导电涂层溶液中,导电聚合物的质量浓度为5%~50%、炭材料的质量浓度为0.5%~10%、成膜树脂的质量浓度为2%~30%,其余为溶剂。
6.根据权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,增稠剂为纤维素醚或其衍生物类增稠剂,包括羟乙基纤维素、甲基羟乙基纤维素、乙基羟乙基纤维素或甲基羟丙基纤维素;挥发性溶剂为三氯甲烷、丙酮、甲醇或乙醇;
纳米硅分散液中,纳米硅颗粒的质量浓度为3%~15%,增稠剂的质量浓度为0.2%~1.5%,其余为挥发性溶剂。
7.根据权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,同轴静电纺丝电压为8~25千伏,纺丝湿度为35%~90%。
8.根据权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,复合硅活性材料在溶剂中浸渍是指采用溶剂将成膜树脂溶掉,以形成具有纳米多孔结构的壳层,所用溶剂为水、甲醇或乙醇。
9.根据权利要求1所述的高性能硅负极活性材料的制备方法,其特征在于,高性能硅负极活性材料的粒径为30nm~1000nm,颜色为黑色。
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