[发明专利]一种HfO2基铁电材料的使用方法有效
| 申请号： | 201810810074.X | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109100900B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 毕磊;黄飞;秦俊;邓龙江 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02F1/355 | 分类号： | G02F1/355 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 闫树平 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 hfo2 基铁电 材料 使用方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种HfO2基铁电材料的使用方法，其特征在于：
将HfO2基铁电材料作为非线性光学材料应用于二次谐波产生的非线性光学元器件制备，具体制备方法如下：
步骤1、在TiN薄膜基底上生长非晶掺杂的HfO2薄膜；
步骤2、在步骤1得到的HfO2薄膜上生长TiN顶电极并进行快速退火处理，得到多晶掺杂的HfO2铁电薄膜；
步骤3、将步骤2制得的多晶掺杂的HfO2铁电薄膜置于双氧水中，刻蚀除去顶层的TiN；
步骤4、利用Comsol电脑仿真软件根据需要产生的二次谐波波段设计出相应的光学结构尺寸；
步骤5、采用电子束光刻EBL技术根据电脑仿真出的光学结构尺寸制作出相应的光学图形；
步骤6、利用电子束蒸发技术在步骤5制得的图形中沉积金；
步骤7、将步骤6中沉积完金属金的样品置于丙酮溶液中进行光刻胶的剥离，完成二阶非线性光学器件的全部制备。
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