[发明专利]一种带有DAC放大电路的高精度温度控制电路有效

专利信息
申请号: 201810810111.7 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN108646812B 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 洪汉润;焦刚 申请(专利权)人: 武汉博激世纪科技有限公司
主分类号: G05D23/24 分类号: G05D23/24
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 杨文录
地址: 430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 带有 dac 放大 电路 高精度 温度 控制电路
【权利要求书】:

1.一种带有DAC放大电路的高精度温度控制电路,其特征在于,包括:

NTC测温电路,与激光器相连,用于测量激光器温度并将测量数据送至单片机;

单片机,用于接收NTC测温电路测量得到的温度数据并通过H桥电路和DAC恒流电路控制TEC热能转换器工作;

激光器,与TEC热能转换器相连;

其中,所述H桥电路包括:

一H桥翻转控制电路,用于控制H桥电路翻转,具体包括:运放U1,其同向输入端分别连接电阻R5、电容C3,电阻R4,所述电容C3和电阻R5并联后接地,所述电阻R4与电源VCC相连;其反向输入端通过电阻R2与单片机I/O口相连;其输出端连接电阻R1,电阻R30,电容C2,所述电容C2接地,所述电阻R1与运放U1的反向输入端相连;其正极与电源VCC相连并通过电容C1接地,其负级接地;

一H桥受控电路,受控于所述H桥翻转控制电路,具体包括:

MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4,所述MOS管Q1和MOS管Q3的栅级连接后通过三极管Q6与H桥翻转控制电路的电阻R30相连;所述MOS管Q2和MOS管Q4的栅级连接后通过三极管Q5与H桥翻转控制电路的电阻R2相连;所述MOS管Q1的源集连接MOS管Q3的漏极;所述MOS管Q2的源集连接MOS管Q4的漏极;所述MOS管Q1、MOS管Q2、MOS管Q3、MOS管Q4的源极和漏极之间分别连接二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5;所述二极管D2的正极和二极管D4的负极与电容C24的一端连接,电容C24的另一端与二极管D3的正极和二极管D5的负极连接;所述电容C24并联电容C25和电阻R29;所述电容C24的两端连接TEC热能转换器的输入端P5;

其中,DAC恒流电路包括:

DAC放大电路,包括:运放U1A,其同向输入端连接电阻R16的一端,电容C17的一端,电阻R12的一端,其中,所述电容C17的另一端,电阻R16的另一端接地,所述电阻R12的另一端与单片机的输出口连接;所述运放U1A的反向输入端连接电阻R11,电阻R9,所述电阻R11接地,所述电阻R9连接运放U1A的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种带有DAC放大电路的高精度温度控制电路,其特征在于,所述DAC恒流电路还包括:

DAC恒流电路,包括一运放U3,其同向输入端连接电容C19,电阻R20,可调电阻W1;其中,所述电容C19和所述电阻R20接地,所述可调电阻连接DAC放大电路输出端;所述运放U3的反向输入端串联接电阻R6、电容C4、电阻R18后接地;所述电阻R18的一端连接运放U3的输出端,电阻R15,所述电阻R15、MOS管M1、电阻R22,电阻R21串联后与运放U3的反向输入端连接;所述运放U3的正级通过电阻R10与12V电源连接,所述运放U3的正极分别通过电容C6、电容C8接地;

其中,所述运放U3是LM8261;

所述NTC测温电路包括:可控精密稳压源TLV431,其1脚与2脚间连接电阻R117,其1脚和3脚间连接电阻R119,其3脚接地;其2脚连接电阻R116,所述电阻R116的一端连接12V电源并通过电容C80接地;所述可控精密稳压源TLV431的2脚连接4.5V电源和电阻R118,所述电阻R118的一端通过电容C82接地;所述电阻R118的一端连接运放U16A的同向输入端,所述运放U16A的反向输入端连接其输出端并通过电阻R120和电容C83接地;所述电阻R120的一端连接单片机的AD口;所述运放U16A的正级通过电容C81接模拟地。

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