[发明专利]大功率芯片封装生产方法

权利要求书

1.一种大功率芯片封装生产方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：将第一引脚（2）、若干芯片（41）、第二引脚（3）的封装部分（30）堆叠在一起，芯片（41）与芯片（41）之间放置铜片（42）、第一引脚（2）、第二引脚（3）的封装部分（30）以及铜片（42）与芯片（41）放置焊锡，并施加压力固定形成芯片与引脚总成；

所述第二引脚（3）的封装部分（30）包括方形的接触部（301），设置在接触部（301）一条边上的倾斜设置的第一弯折部（302），设置在第一弯折部（302）一侧的向着接触部（301）所在平面延伸的第二弯折部（303）；

所述第二引脚（3）的外接部分（31）包括，方形的外接部（311），设置在外接部（311）一条边上的倾斜设置的第三弯折部（312），第三弯折部（312）与第二弯折部（303）之间通过锡焊连接在一起；

S2：将S1的芯片与引脚总成经过焊锡炉加热，使焊锡熔化将相应部件焊接；

S3：将芯片与引脚总成通过环氧树脂（1）封装，使第一引脚（2）底部露出，所述第二引脚（3）的外接部分（31）从环氧树脂（1）侧面穿出；

S4：切除第一引脚（2）和第二引脚（3）的多余部分；

S5：将第二引脚（3）的外接部分（31）经若干次折弯后形成与第一引脚（2）齐平的导电接触面；

接触部（301）所在平面与第一弯折部（302）所在平面的夹角α为60°-80°，第一弯折部（302）所在平面与第二弯折部（303）所在平面的夹角β为40°-60°，第三弯折部（312）所在平面与外接部（311）所在平面的夹角γ为40°-60°；

所述第二弯折部（303）的末端成型有定位凹槽（304），所述第三弯折部（312）的末端成型有与定位凹槽（304）配合的定位部（314）；

所述外接部（311）上靠近第三弯折部（312）处成型有阻挡凸起（313）。

2.根据权利要求1所述的大功率芯片封装生产方法，其特征在于，所述铜片（42）的厚度为6-8mil。

3.根据权利要求1所述的大功率芯片封装生产方法，其特征在于，所述焊锡为Pb92.5Sn5Ag2.5。