[发明专利]瞬态电压抑制元件在审
申请号: | 201810810782.3 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN110571280A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 刘育弦;陈志豪 | 申请(专利权)人: | 力智电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/866 | 分类号: | H01L29/866;H01L29/06;H01L27/08 |
代理公司: | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 马雯雯;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掺杂区 导电型 基底 井区 瞬态电压抑制器 密封环区 元件区 瞬态电压抑制 电性连接 环绕元件 | ||
1.一种瞬态电压抑制元件,其特征在于,包括:
基底,包括元件区与密封环区,所述密封环区环绕所述元件区;
第一瞬态电压抑制器,位于所述元件区中,所述第一瞬态电压抑制器包括:
具有第一导电型的第一井区,位于所述元件区的所述基底中;
具有第二导电型的第一掺杂区,位于所述第一井区中;以及
具有所述第二导电型的第二掺杂区,位于所述第一井区中;以及
具有所述第二导电型的第三掺杂区,位于所述密封环区的所述基底中,其中所述第三掺杂区与所述第一掺杂区电性连接。
2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述第二掺杂区位于所述第一掺杂区与所述第三掺杂区之间。
3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述第一掺杂区、所述第二掺杂区以及所述第三掺杂区彼此分离。
4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的所述第一井区上无栅极结构。
5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,还包括:
第二瞬态电压抑制器,位于所述元件区中,所述第二瞬态电压抑制器包括:
具有所述第一导电型的第二井区,位于所述元件区的所述基底中;
具有所述第二导电型的第五掺杂区,位于所述第二井区中;以及
具有所述第二导电型的第六掺杂区,位于所述第二井区中;以及
具有所述第二导电型的第七掺杂区,位于所述密封环区的所述基底中。
6.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述第一掺杂区、所述第三掺杂区、所述第五掺杂区以及所述第七掺杂区电性连接至第一电压,而所述第二掺杂区与所述第六掺杂区电性连接至第二电压,所述第一电压与所述第二电压不同。
7.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述第一掺杂区、所述第三掺杂区以及第六掺杂区电性连接至第一电压,而所述第二掺杂区、所述第五掺杂区以及所述第七掺杂区电性连接至第二电压,所述第一电压与所述第二电压不同。
8.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述基底还包括切割道区,所述切割道区与所述密封环区相邻,其中所述密封环区位于所述元件区与所述切割道区之间。
9.根据权利要求8所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,还包括具有所述第二导电型的第四掺杂区,位于所述切割道区的所述基底中,其中所述第四掺杂区位于所述第三掺杂区旁且互相接触。
10.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制元件,其特征在于,所述基底具有所述第二导电型,且为电性浮置。
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