[发明专利]基板清洗方法

说明书

一种基板清洗装置，具有：保持基板(W)并使其旋转的基板保持部(1)；将药液供给到基板(W)上的药液喷嘴(11)；将双流体喷流供给到基板(W)上的双流体喷嘴(12)；以及使药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)一体地从基板(W)的中心部向周缘部移动的移动机构(15,21,22)，药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)隔开规定距离而相邻，关于药液喷嘴(11)及双流体喷嘴(12)的移动方向，药液喷嘴(11)位于双流体喷嘴(12)的前方。采用本发明，可高效地清洗晶片等基板。

本申请是下述专利申请的分案申请：

申请号：201310461090.X

申请日：2013年9月30日

发明名称：基板清洗装置及研磨装置

技术领域

本发明涉及一种对晶片等基板进行清洗的基板清洗装置，尤其涉及一种通过向基板表面供给流体而对基板进行清洗的基板清洗装置。另外，本发明涉及一种具有这种基板清洗装置的研磨装置。

背景技术

以CMP(化学机械研磨)为代表的研磨装置，通过一边将研磨液(浆料)供给于研磨块一边使晶片与研磨块滑动接触而对晶片表面进行研磨。在研磨后的晶片上，残留有包含微粒的研磨液和研磨屑。因此，以往在研磨晶片后，要对晶片进行清洗。

发明所要解决的课题

以往的清洗装置如WO2007/108315号公报及日本专利特开2003-92283号公报所公开的那样，将腐蚀液供给到晶片表面而腐蚀晶片的表面，然后，向晶片表面供给冲洗液，从而去除残留在晶片上的腐蚀液。但是，由于腐蚀工序及冲洗工序是分别各自进行的，因此，晶片的整个清洗时间长，结果，处理量下降。

发明内容

本发明是为解决上述以往的问题而做成的，其目的在于，提供一种能高效地对晶片等基板进行清洗的基板清洗装置。

用于解决课题的手段

为了实现上述目的，本发明的一形态是一种基板清洗装置，其特点是，具有：对基板进行保持并使该基板旋转的基板保持部；将药液供给到所述基板上的药液喷嘴；将双流体喷流供给到所述基板上的双流体喷嘴；以及使所述药液喷嘴及所述双流体喷嘴一体地从所述基板的中心部向周缘部移动的移动机构，所述药液喷嘴及所述双流体喷嘴隔开规定距离而相邻，在所述药液喷嘴及所述双流体喷嘴的移动方向，所述药液喷嘴位于所述双流体喷嘴的前方。

本发明的较好形态的特点是，所述移动机构具有：支承所述药液喷嘴及所述双流体喷嘴的臂部；以及使所述臂部回旋的臂部回旋机构。

本发明的较好形态的特点是，所述药液喷嘴及所述双流体喷嘴的移动速度，随着接近所述基板的周缘部而逐渐变慢。

本发明的另一形态是一种研磨装置，其特点是，具有对基板进行研磨的研磨部、以及对研磨后的所述基板进行清洗的上述基板清洗装置。

发明的效果

采用本发明，可通过药液的腐蚀作用从基板表面上去除异物，然后立即通过双流体喷流将药液及异物从基板表面上冲洗掉。因此，只要将药液喷嘴及双流体喷嘴从基板的中心部移动到周缘部一次，就能使基板的腐蚀和冲洗结束。其结果，基板清洗的整个时间缩短，处理量提高。

附图说明

图1是表示本发明的基板清洗装置的一实施方式的模式图。

图2是用于说明药液喷嘴及双流体喷嘴的配置的俯视图。

图3是从横向看的药液喷嘴及双流体喷嘴的示图。

图4是详细说明使用了药液喷嘴及双流体喷嘴的晶片清洗工序的一例的示图。

图5是表示具有基板清洗装置的研磨装置的示图。