[发明专利]半导体清洗设备及利用该设备清洗通孔的方法

权利要求书

1.一种通孔清洗方法，包括：

将清洗液加热到预定温度；

使清洗液与惰性气体混合进入清洗腔室；

在雾化器中使清洗液雾化，喷洒在晶圆表面上并浸入通孔内壁和底部，所述雾化器为中空圆柱体，所述雾化器的顶端密封，所述中空圆柱体的侧面具有一个或多个第一通孔，清洗液通过第一通孔进入清洗腔室，所述第一通孔包括水平延伸的直通孔和斜通孔，所述直通孔与颈部圆形内壁相交点处的切线基本垂直，斜通孔与颈部圆形内壁相交点处的切线成非垂直的特定角度，其中在将流体连通到第一通孔后，流体通过直通孔到中空体的中心部位，同时流体通过斜通孔倾斜于直通孔的方向进入中空体，流体在多次冲击中空体内侧表面后，转变为雾状；

关闭清洗液阀门。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过调节惰性气体的流量，改变清洗液与惰性气体构成的二流体的流速，同时改变二流体在雾化装置里的雾化程度和雾滴大小。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过开、关气、液体管道的阀门，进行脉冲式加入清洗液。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，清洗液与惰性气体通过雾化器的直通孔和斜通孔进入清洗腔室，经过与腔体内侧壁多次冲击，清洗液转变为雾态。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：通过反漏斗形顶盖中部水平孔向清洗腔室通入惰性气体。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在关闭清洗液阀门后，还包括：

打开预热的纯水阀门；

使惰性气体流量不变或少许增加；

气-水二流体同样被雾化，利用水雾冲洗通孔内和晶圆表面。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，在清洗完成后，还包括：

将钝化液加热到预定温度；

使钝化液与惰性气体混合进入清洗腔室；

在雾化器中使钝化液转变为雾态，喷洒在晶圆表面上并浸入通孔内壁和底部，在硅通孔内壁生成一定厚度的氧化硅层；

关闭钝化液阀门。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在关闭钝化液阀门后，还包括：

打开纯水阀门，重新对晶圆表面和通孔内壁进行清洗，去除残留的钝化液体；

关闭纯水阀门，保持惰性气体流，吹干晶圆表面。

9.一种通孔清洗和钝化方法，包括：

将清洗液和钝化液加热到预定温度；

使清洗液和钝化液与惰性气体混合进入清洗腔室；

在雾化器中使清洗液和钝化液雾化，喷洒在晶圆表面上并浸入通孔内壁和底部，所述雾化器为中空圆柱体，所述雾化器的顶端密封，所述中空圆柱体的侧面具有一个或多个第一通孔，清洗液通过第一通孔进入清洗腔室，所述第一通孔包括水平延伸的直通孔和斜通孔，所述直通孔与颈部圆形内壁相交点处的切线基本垂直，斜通孔与颈部圆形内壁相交点处的切线成非垂直的特定角度，其中在将流体连通到第一通孔后，流体通过直通孔到中空体的中心部位，同时流体通过斜通孔倾斜于直通孔的方向进入中空体，流体在多次冲击中空体内侧表面后，转变为雾状；

关闭清洗液和钝化液阀门。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，通过调节惰性气体的流量，改变液体与气体构成的二流体的流速，同时改变二流体在雾化装置里的雾化程度和雾滴大小。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，通过开、关气、液体管道的阀门，进行脉冲式加入清洗液和钝化液。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括：通过反漏斗形顶盖中部水平孔向清洗腔室通入惰性气体。

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在关闭清洗液和钝化液阀门后，还包括：

打开纯水阀门，重新对晶圆表面和通孔内壁进行清洗，去除残留的清洗和钝化液体；

关闭纯水阀门，保持惰性气体流，吹干晶圆表面。