[发明专利]硅晶片的生成方法在审
| 申请号： | 201810811381.X | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109382921A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 关家一马 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | B28D5/04 | 分类号： | B28D5/04;B28D7/00;B28D7/04;B24B41/06;B24B7/22;B24B27/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅晶片 分离层 生成工序 平坦化 硅锭 晶片 照射激光光线 激光光线 形成工序 聚光点 透过性 波长 磨削 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅晶片的生成方法，从硅锭生成硅晶片，其中，该硅晶片的生成方法具有如下的工序：
块锭生成工序，对硅锭进行切断而生成块锭；
平坦化工序，对块锭的端面进行磨削而进行平坦化；
分离层形成工序，将对于硅具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在块锭的距离端面相当于要生成的晶片的厚度的深度的内部，对块锭照射激光光线而形成分离层；以及
晶片生成工序，在实施了分离层形成工序之后，从该分离层分离出要生成的硅晶片。
2.根据权利要求1所述的硅晶片的生成方法，其中，
该硅晶片的生成方法还具有如下的晶体取向形成工序：在该块锭生成工序之前，在硅锭上形成表示晶体取向的定向平面或凹口。
3.根据权利要求1所述的硅晶片的生成方法，其中，
该硅晶片的生成方法还具有如下的制造履历形成工序：将对于硅具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在要生成的硅晶片的未形成器件的区域的内部，对要生成的硅晶片照射激光光线而形成制造履历。
4.根据权利要求3所述的硅晶片的生成方法，其中，
在该制造履历形成工序中形成的制造履历包含块锭的批号、所生成的晶片的顺序、制造年月日、制造工厂以及有助于生成的机型中的任意信息。
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