[发明专利]一种用于半导体湿法工艺设备的液体雾化装置

说明书

本发明公开了一种液体雾化装置，包括：中空体，所述中空体的顶端密封，一个或多个第一通孔，所述第一通孔设置在所述中空体的侧面，液体通过所述第一通孔进入雾化装置，从所述中空体的底端输出雾化液体，其中所述第一通孔包括水平延伸的直通孔和水平延伸的斜通孔，所述直通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线基本垂直，斜通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线成非垂直的特定角度。

技术领域

本发明涉及半导体制造装备领域，具体而言，本发明涉及一种用于半导体设备上的液体雾化装置。

背景技术

随着电子产品小型化、集成化、智能化的发展，IC芯片的复杂度和集成密度越来越高，相应的清洗技术也随之复杂起来。

在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，而且集成电路的集成度愈高，制造工序愈多，所需的清洗工序也愈多。清洗次数繁多消耗大量的化学品和去离子高纯水。清洗液使用的各种化学品处理不当会严重污染环境。

因此，能够减少化学品和去离子高纯水的消耗，在源头上减少废水、废化学溶液的产生，同时获得更有效率的清洗方案，是本领域长期的追求目标。

发明内容

针对现有技术中存在的问题，根据本发明的一个方面，提供一种液体雾化装置，包括：

中空体，所述中空体的顶端密封，

一个或多个第一通孔，所述第一通孔设置在所述中空体的侧面，液体通过所述第一通孔进入雾化装置，从所述中空体的底端输出雾化液体，其中所述第一通孔包括水平延伸的直通孔和水平延伸的斜通孔，所述直通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线基本垂直，斜通孔与所述中空体的内壁相交点处的切线成非垂直的特定角度。

在本发明的一个实施例中，所述中空体为中空圆柱体。

在本发明的一个实施例中，所述中空体为中空棱柱体。

在本发明的一个实施例中，该雾化装置还包括强迫式雾化器，所述强迫式雾化器设置在所述中空圆柱体内。

在本发明的一个实施例中，所述强迫式雾化器是超声产生器。

在本发明的一个实施例中，所述强迫式雾化器是兆声产生器。

在本发明的一个实施例中，所述中空圆柱体的内壁直径为d₁，外壁直径为d₂，外壁直径与内壁直径的比例在2:1～20:1之间。

在本发明的一个实施例中，该雾化装置还包括：

储液杯，所述储液杯用于收集液体；

顶盖，所述顶盖包括颈部和开口部，所述颈部位于顶盖的上部，颈部直径小于开口部直径，所述开口部覆盖在储液杯上，顶盖和储液杯构成清洗腔室，所述中空圆柱体的底端与所述顶盖的颈部密封连通。

在本发明的一个实施例中，所述顶盖为反漏斗形状，侧面为平滑曲面，具有底部半径r₁、漏斗外半径r₂、顶盖的高度h，其中底部半径r₁指的是顶盖与储液杯接触的开口部分的圆半径，漏斗外半径r₂指的是顶盖从曲面转变为近似平面的拐点处之间的圆弧半径，顶盖的高度h指的是从顶盖颈部至底部的垂直距离。

在本发明的一个实施例中，设置在顶盖的中间部位的一个或多个第二通孔，所述第二通孔是水平延伸的通孔，所述第二通孔与所述顶盖内壁成非垂直的特定角度。

附图说明

为了进一步阐明本发明的各实施例的以上和其它优点和特征，将参考附图来呈现本发明的各实施例的更具体的描述。可以理解，这些附图只描绘本发明的典型实施例，因此将不被认为是对其范围的限制。在附图中，为了清楚明了，相同或相应的部件将用相同或类似的标记表示。