[发明专利]一种半导体器件外延层的转移方法

权利要求书

1.一种半导体器件外延层的转移方法，其特征在于，包括：

S1、在衬底上制作牺牲层，所述衬底材料包括GaN、SiC、蓝宝石、Si、石墨烯中的一种或多种；

S2、在所述牺牲层上制作器件外延层，所述外延层包括Si缓冲层、AlN过渡层、GaN沟道层和Al_xGa_1-xN势垒层，其中，Al_xGa_1-xN中的x范围为0.1～0.8；

S3、在所述器件外延层中制作刻蚀通道，首先，利用氯基刻蚀工艺刻蚀掉所述Al_xGa_1-xN势垒层、所述GaN沟道层和所述AlN过渡层，所述氯基刻蚀工艺的刻蚀条件为：使用BCl₃与Cl₂作为混合气体，BCl₃流量范围为10～30sccm，Cl₂流量范围为4～12sccm，压力范围为3～8mTorr，衬片温度范围为10～30℃，ICP功率范围为20～150W，RF功率范围为5～30W；然后，利用氟基刻蚀工艺刻蚀Si缓冲层；

S4、利用湿法刻蚀工艺，将器件浸泡在刻蚀溶液中，同时从所述刻蚀通道和所述牺牲层的四周腐蚀掉所述牺牲层，通过多路径的湿法刻蚀使得在腐蚀过程中外延层与衬底之间受力均匀，以使所述衬底与所述器件外延层分离而不损坏所述器件外延层。

2.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，所述牺牲层材料包括SiO₂材料。

3.如权利要求1所述的转移方法，其特征在于，采用HF溶液作为所述湿法刻蚀工艺中的刻蚀液体；其中，

所述HF溶液的体积分数为8～20％、温度为20～50℃；

刻蚀时间为10～50min。