[发明专利]一种MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201810811994.3 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN109037373A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 鲁书瀚;陈平;张栋栋 | 申请（专利权）人： | 上海电机学院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 胡永宏 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 中间带 太阳能吸收材料 制备 传统太阳能电池 真空固相反应 光吸收能力 母体化合物 掺杂元素 烧结工艺 吸光 | ||
1.一种MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料，化学式为MgIn2-xSnxS4，0＜x＜2，通过在母体化合物MgIn2S4的In位掺杂元素Sn形成半满中间带而得。
2.如权利要求1所述MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料，其特征在于，所述MgIn2S4的吸收系数为1×104-1×105cm-1，空间群为Fd-3m，带隙为2.12-2.28eV。
3.如权利要求1或2所述MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：按化学计量比将Mg、In、Sn和S的反应原料混合均匀，再依次经真空封装、真空固相反应烧结、以及研磨后重复真空固相反应烧结，即得；其中，
所述真空固相反应烧结的工艺参数包括：真空度为1×10-5Pa、烧结温度为600-750℃、烧结时间为36-60h。
4.如权利要求3所述MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料的制备方法，其特征在于，所述烧结温度为650-700℃，烧结时间为48h。
5.如权利要求3所述MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料的制备方法，其特征在于，所述研磨时间为3-5min。
6.如权利要求3所述MgIn2S4基中间带太阳能吸收材料的制备方法，其特征在于，反应原料包括单质或二元化合物，且所述反应原料中Mg、In、Sn和S的化学计量比为Mg:In:Sn:S＝1:2-x:x:4，0＜x＜2。
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