[发明专利]TaN/BiVO4 有效
| 申请号： | 201810812044.2 | 申请日： | 2018-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN108855193B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 夏立新;李思远;李娜;蒋文超;姜毅 | 申请（专利权）人： | 辽宁大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C01B3/04 |
| 代理公司： | 沈阳杰克知识产权代理有限公司 21207 | 代理人： | 金春华 |
| 地址： | 110000 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tan bivo base sub | ||
1.TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）制备钒酸铋基底：于含有硝酸铋、碘化钾和对苯醌的电沉积溶液中，采用三电极体系，在导电载体FTO上沉积一层BiOI膜，水洗，氮气吹干后，于BiOI膜上均匀滴加乙酰丙酮氧矾的DMSO溶液后，于450℃保温2h，冷却至室温后，放入无机碱溶液中浸泡30min，取出，用水冲洗，氮气吹干，得钒酸铋基底；
2）制备TaN/BiVO4异质结复合材料：将钒酸铋基底浸入氮化钽水溶胶中，60℃ 保持30-60min后，置于马弗炉中500 ℃ 煅烧2h。
2.根据权利要求1所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述的电沉积溶液的制备方法是：取适量去离子水，用硝酸调节其pH到1.7，加入硝酸铋和碘化钾，充分溶解后，加入对苯醌的乙醇溶液，充分搅拌，制成电沉积溶液。
3.根据权利要求1所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1）中，采用三电极体系，沉积条件为：外加-0.1 V vs Ag/AgCl 的偏压沉积5分钟。
4.根据权利要求1所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述的无机碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
5.根据权利要求1所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述的氮化钽的制备方法是：在氨气的条件下，将氧化钽于500℃下煅烧4h，形成氮化钽。
6.根据权利要求1所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述的氮化钽水溶胶的制备方法是：取氮化钽溶解于水中，超声，形成氮化钽水溶胶。
7.根据权利要求6所述的TaN/BiVO4异质结复合材料的制备方法，其特征在于，氮化钽与水的料液比为：1g：（10-15）mL。
8.按照权利要求1所述的方法制备的TaN/BiVO4异质结复合材料作为修饰电极在光催化分解水制氢中的应用。
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