[发明专利]一种硫属化合物纳米片及其制备方法

权利要求书

1.一种硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述硫属化合物纳米片的组成为CrGeX₃，所述X为Se或Te，所述纳米片晶体结构为六方晶体结构；所述硫属化合物纳米片的制备方法包括以下步骤：

有机液相反应：将含有Cr源的溶液与含有X源的悬浮液混合，在惰性气体保护下升温至350-400℃反应，得到Cr₂X₃纳米材料；

阳离子置换反应：将所述Cr₂X₃纳米材料与溶剂混合得到含Cr₂X₃纳米材料的母液，在惰性气体保护下，升温至100-120℃，保温20-40min，加入含有Ge的溶液，继续升温至350-400℃反应90-150min，得到CrGeX₃纳米片。

2.根据权利要求1所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述纳米片CrGeTe₃的形貌为六边形，直径为1-2.85μm，厚度为80-130nm。

3.根据权利要求1所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述制备方法中原料Cr，Ge，X的摩尔量之比为(0.5-1)：(0.5-0.55):1.8。

4.根据权利要求1-3任一项所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述有机液相反应中的升温速率为2-5℃/min，反应时间为1-3h。

5.根据权利要求1-3任一项所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述有机液相反应步骤中，将Cr源溶于油胺中，得到含有Cr源的溶液；将X源溶于三辛基膦中，超声，得到所述含有X源的悬浮液；

所述阳离子置换反应中，将Ge源溶于油胺中，超声，得到所述含有Ge源的溶液。

6.根据权利要求1-3任一项所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述有机液相反应中，将含有Cr源的溶液在惰性气体保护下升温至100-120℃，保温20-30min，然后与含有X源的悬浮液混合。

7.根据权利要求1-3任一项所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述Cr源为Cr(CO)₆；所述X源为碲粉或硒粉；所述Ge源为GeI₄。

8.根据权利要求1-3任一项所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，还包括对所述Cr₂X₃纳米材料和/或CrGeX₃纳米片的进行洗涤，纯化的步骤。

9.根据权利要求1-3任一项所述的硫属化合物纳米片的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气或氩气。