[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包含：第一有源图案以及第二有源图案，在衬底上；第一源极/漏极区，在第一有源图案上；第二源极/漏极区，在第二有源图案上；以及装置隔离层，填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽以及第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。

相关申请的交叉引用

本专利申请案请求2017年8月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请案第10-2017-0098636号的优先权，所述专利申请案的公开内容特此以全文引用的方式并入。

技术领域

本发明概念的实施例涉及半导体装置，且更具体地说涉及包含场效应晶体管的半导体装置。

背景技术

由于半导体装置的尺寸小、多功能特性和/或低制造成本，因此半导体装置广泛地用于电子行业中。半导体装置可分类为存储逻辑数据的半导体存储器装置、处理逻辑数据的半导体逻辑装置以及具有半导体存储器装置的功能和半导体逻辑装置的功能的混合半导体装置中的任何一种。随着电子行业的发展，对具有优良特性的半导体装置的需求也在不断增加。举例来说，对高可靠、高速和/或多功能半导体装置的需求在不断增加。为了满足需求，半导体装置已变得高度集成且半导体装置的结构已变得越来越复杂。

发明内容

本发明概念的实施例可提供一种包含具有改进的电气特性的场效应晶体管的半导体装置。

在一方面，一种半导体装置包含衬底上的第一有源图案和第二有源图案、第一有源图案上的第一源极/漏极区、第二有源图案上的第二源极/漏极区以及填充第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的第一沟槽和第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的第二沟槽的装置隔离层。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层在第一源极/漏极区下方具有凹槽，且第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的内衬层的底部表面高于凹槽。

在一方面，一种半导体装置包含具有第一区和第二区的衬底、第一区上的第一有源图案、第二区上的第二有源图案以及定义第一区和第二区上的第一有源图案和第二有源图案的装置隔离层。残留间隔层设置在第一有源图案中的相邻第一有源图案之间的装置隔离层上。内衬层设置在第二有源图案中的相邻第二有源图案之间的装置隔离层上。第二有源图案之间的间距大于第一有源图案之间的间距，且残留间隔层的底部表面高于内衬层的底部表面。

在一方面，一种半导体装置包含衬底上的有源鳍、覆盖有源鳍的下部部分的侧壁的装置隔离层、有源鳍上的源极/漏极区以及覆盖有源鳍的上部部分的侧壁和源极/漏极区的保护绝缘层。有源鳍的上部部分的侧壁上的保护绝缘层的厚度大于源极/漏极区上的保护绝缘层的厚度。

附图说明

鉴于附图和随附详细描述，本发明概念将变得更清楚。

图1是说明根据本发明概念的一些实施例的半导体装置的平面视图。

图2A到图2H是分别沿图1的线A-A'、线B-B'、线C-C'、线D-D'、线E-E'、线F-F'、线G-G'以及线H-H'截取的横截面视图。

图3、图6、图8以及图10是说明制造根据本发明概念的一些实施例的半导体装置的方法的平面视图。

图4A和图5A是沿图3的线A-A'截取的横截面视图。

图4B和图5B是沿图3的线B-B'截取的横截面视图。

图4C和图5C是沿图3的线C-C'截取的横截面视图。

图4D和图5D是沿图3的线D-D'截取的横截面视图。