[发明专利]一种低漏电的低压TVS器件及其制造方法在审

申请号：	201810813141.3	申请日：	2018-07-23
公开（公告）号：	CN109192785A	公开（公告）日：	2019-01-11
发明（设计）人：	邹有彪;徐玉豹	申请（专利权）人：	富芯微电子有限公司
主分类号：	H01L29/861	分类号：	H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329
代理公司：	北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390	代理人：	胡剑辉
地址：	230000 安徽省合肥市***	国省代码：	安徽;34
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摘要：
搜索关键词：	浓磷区淡磷光刻漏电扩散下表面背金反刻磷区二氧化硅钝化层衬底上表面硅片双面击穿电压铝合金引线孔抛光击穿沉积衬底减小结深均热浪涌浓磷蒸铝制造生长
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【权利要求书】：

1.一种低漏电的低压TVS器件，其特征在于，包括P+型衬底(1)和扩散于P+型衬底(1)上表面和下表面的磷区，磷区由两个部分组成，一部分是N+浓磷区(2)，一部分是N-淡磷区(3)，N-淡磷区(3)沉积扩散于N+浓磷区(2)的两侧，所述TVS器件的上、下表面均热生长有二氧化硅钝化层(4)；

所述低漏电的低压TVS器件的由如下步骤制作而成：

一、衬底材料

选择P型硅单晶片，对P型硅单晶片进行双面抛光；

二、氧化

在P型硅单晶片的上、下表面均热生长二氧化硅钝化层(4)；

三、淡磷区光刻

采用淡磷区光刻版在P型硅单晶片上进行淡磷区光刻；

四、淡磷区扩散

预淀积：采用POCl₃做为掺杂源，预沉积温度900-1000℃，时间60-100mi n，Rs＝8-10Ω/□；

再扩散：利用硅管进行再扩散，再扩散温度1000-1100℃，时间1-4h，Xj＝2-5μm；

五、浓磷区光刻

采用浓磷区光刻版在P型硅单晶片上进行浓磷区光刻；

六、浓磷区扩散

预淀积：采用POCl₃做为掺杂源，预沉积温度1050-1150℃，时间80-120min，Rs＝0.5-1Ω/□；

再扩散：利用硅管进行再扩散，再扩散温度1100-1200℃，时间4-10h，Xj＝10-15μm；

七、引线孔光刻

采用引线孔光刻版进行引线孔光刻；

八、蒸铝

通过蒸铝操作，在P型硅单晶片的表面覆上一层铝膜层；

九、铝反刻

采用金属反刻版进行铝反刻；

十、蒸铝合金

在铝膜层表面覆合一层铝合金膜；

十一、蒸Ti-Ni-Ag合金

在铝合金膜表面蒸镀一层Ti-Ni-Ag合金膜；

十二、Ti-Ni-Ag反刻

采用金属反刻版对Ti-Ni-Ag合金膜进行反刻，制备得到低漏电的低压TVS器件。

2.根据权利要求1所述的一种低漏电的低压TVS器件，其特征在于，所述二氧化硅钝化层(4)的厚度为1-1.5μm。

3.根据权利要求1所述的一种低漏电的低压TVS器件，其特征在于，所述N+浓磷区(2)的区域开有引线框架，引线框架处连接有电极。

4.根据权利要求1所述的一种低漏电的低压TVS器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：