[发明专利]紫外线截止型三层共挤复合膜及其应用有效
申请号: | 201810813719.5 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN108987513B | 公开(公告)日: | 2022-03-15 |
发明(设计)人: | 茹正伟;周乐 | 申请(专利权)人: | 常州百佳年代薄膜科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;C09J7/10;C09J123/08;C09J4/06;C09J11/06 |
代理公司: | 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 | 代理人: | 蔡兴兵 |
地址: | 213100 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 紫外线 截止 三层 复合 及其 应用 | ||
1.一种紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,包含以下组分:
内层,所述内层为乙烯-醋酸乙烯共聚物层;
中间层,所述中间层设于所述内层外侧,所述中间层为聚烯烃弹性体层,所述聚烯烃弹性体层按照重量份包含以下组分:
聚烯烃弹性体胶粒,91.5%-98.6%;
抗氧剂,0.1%-1%;
热引发剂,0.5%-2%;
交联单体,0.5%-2.5%;
硅烷偶联剂,0.1%-1%;
光稳定剂,0.1%-1%;
紫外吸收剂,0.1%-1%;
外层,所述外层设于所述中间层外侧,所述外层为乙烯-醋酸乙烯共聚物层;
所述乙烯-醋酸乙烯共聚物层包含以下组分:
乙烯-醋酸乙烯共聚物胶粒,90.5%-99.0%;
抗氧剂,0.1%-1%;
热引发剂,0.3%-1.5%;
交联单体,0.3%-2%;
硅烷偶联剂,0.1%-1%;
光稳定剂,0.1%-1%;
紫外吸收剂0.1%-1%;
所述聚烯烃弹性体层的热引发剂比所述乙烯-醋酸乙烯共聚物层的热引发剂高0.2%-0.5%,所述聚烯烃弹性体层的交联单体比乙烯-醋酸乙烯共聚物层的交联单体高0.2-0.5%,所述中间层与所述内层或所述外层的质量比为10-50:50-90。
2.根据权利要求1所述的紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,所述抗氧剂为四(3,5-二叔丁基-4-羟基)苯丙酸季戊四醇酯,三乙二醇醚-二(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酸酯,三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苄基)异氰尿酸;异氰脲酸三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲苯基)酯中的一种或其组合物。
3.根据权利要求1所述的紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,所述热引发剂为过氧化异丙苯、二叔丁基过氧化物、过氧化氢二异丙苯、2,5-二甲基-2,5二叔丁基过氧化己烷、4,4-二(叔戊基过氧)戊酸正丁基酯,过氧化2-乙基己基碳酸叔丁酯、3,3-二(叔丁基过氧)丁酸乙酯的一种或其组合物。
4.根据权利要求1所述的紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,所述交联单体为三烯丙基异氰脲酸酯、三聚氰酸三烯丙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、二甲基丙烯酸二乙二醇酯中的一种或其组合物。
5.根据权利要求1所述的紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,所述硅烷偶联剂为乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三过氧化叔丁基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷中的一种或其组合物。
6.根据权利要求1所述的紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,所述光稳定剂为双(1-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯,聚-{[6-[(1,1,3,3,-四甲基丁基)-亚氨基]-1,3,5,-三嗪-2,4-二基][2-(2,2,6,6,-四甲基哌啶基)-次氨基-六亚甲基-[4-(2,2,6,6,-四甲基派啶基)-次氨基]],双(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯,聚丁二酸(4-羟基-2,2,6,6-四甲基-1-哌啶乙醇)酯中的一种或其组合物。
7.根据权利要求1所述的紫外线截止型三层共挤复合膜,其特征在于,所述紫外吸收剂为2-(2H-苯并三唑-2-基)-6-(1-甲基-1-苯乙基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)苯酚,2-(4,6-双(2,4-二甲基苯基)-1,3,5-三嗪-2-基)-5-辛氧基酚,(2’-羟基-5’-甲基苯基)-苯并三唑中的一种或其组合物。
8.一种根据权利要求1-4中任一所述的紫外线截止型三层共挤复合膜的应用,其特征在于,所述紫外线截止型三层共挤复合膜用于粘接光伏电池的光伏背板和电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的