[发明专利]电路转换单元及其制造方法、电子器件及温控设备有效

专利信息
申请号: 201810814826.X 申请日: 2018-07-23
公开(公告)号: CN110753441B 公开(公告)日: 2020-08-04
发明(设计)人: 冯雪;张柏诚;陈颖;刘兰兰;蒋晔;付浩然 申请(专利权)人: 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
主分类号: H05K1/09 分类号: H05K1/09;H05K1/03;H05K1/02;H05K3/00
代理公司: 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 33250 代理人: 舒丁
地址: 314006 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 电路 转换 单元 及其 制造 方法 电子器件 温控 设备
【权利要求书】:

1.一种电路转换单元,其特征在于,包括:

形状记忆聚合物层;

液态金属,所述液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层;

其中,所述形状记忆聚合物层改变自身形状,以改变所述液态金属于所述形状记忆聚合物层的分布,所述液态金属于所述形状记忆聚合物的不同分布构成不同的导电路径。

2.根据权利要求1所述的电路转换单元,其特征在于,所述形状记忆聚合物为两层,所述液态金属封闭于两层所述形状记忆聚合物层之间;或者

所述形状记忆聚合物为一层,所述形状记忆聚合物层设有凹槽,所述液态金属封闭于所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的电路转换单元,其特征在于,所述形状记忆聚合物包括热致变形聚合物、电致变形聚合物、光致变形聚合物以及化学刺激变形聚合物中的任意一种或多种。

4.根据权利要求1所述的电路转换单元,其特征在于,所述形状记忆聚合物为热致变形聚合物,且所述形状记忆聚合物层的外表面设有金属纳米线,所述金属纳米线用于对所述形状记忆聚合物表面的预定区域进行辅助加热。

5.根据权利要求4所述的电路转换单元,其特征在于,所述金属纳米线通过3D打印的方式或刻蚀转印的方式铺设于所述形状记忆聚合物层的外表面。

6.根据权利要求1所述的电路转换单元,其特征在于,所述形状记忆聚合物层与所述液态金属接触的表面设置控制液态金属接触角的改性层。

7.根据权利要求6所述的电路转换单元,其特征在于,所述改性层通过物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、喷涂或旋涂的方式设置在所述形状记忆聚合物层与所述液态金属接触的表面。

8.根据权利要求6所述的电路转换单元,其特征在于,所述改性层为金属无机物层或高分子有机物层。

9.根据权利要求1所述的电路转换单元,其特征在于,所述电路转换单元还包括储液区,所述形状记忆聚合物层变形时,所述储液区能够容纳所述形状记忆聚合物层变形挤出的所述液态金属。

10.一种电子器件,包括输出端、接收端以及如权利要求1-9任一项所述电路转换单元,所述接收端和输出端伸入所述形状记忆聚合物层,并能够和所述液态金属电导通,所述形状记忆聚合物层的形状改变能够控制所述输出端和接收端之间的通断。

11.一种温控设备,包括多个加热器以及与所述加热器对应的电子器件,所述电子器件为权利要求10所述的电子器件,所述电子器件控制对应的加热器的电源的通断。

12.根据权利要求11所述的温控设备,其特征在于,多个所述电子器件的形状记忆聚合物层的形变温度不同。

13.一种电路转换单元制造方法,其特征在于,包括:

提供形状记忆聚合物形成形状记忆聚合物层;

将液态金属封闭于所述形状记忆聚合物层中,使所述液态金属随所述形状记忆聚合物层形状的改变构成不同的导电路径。

14.根据权利要求13所述的电路转换单元制造方法,其特征在于,还包括:

当所述形状记忆聚合物层为两层时,将所述液态金属封闭于两层所述形状记忆聚合物层之间;或者

当所述形状记忆聚合物层为一层时,在所述形状记忆聚合物层上开设凹槽,将所述液态金属封闭于所述凹槽内。

15.根据权利要求13所述的电路转换单元制造方法,其特征在于,还包括:

在所述形状记忆聚合物层外表面以3D打印或刻蚀转印的方式铺设金属纳米线,用于对所述形状记忆聚合物表面的预定区域进行辅助加热。

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