[发明专利]一种碳化硅纳米线疏水涂层及其制备方法在审
| 申请号： | 201810815058.X | 申请日： | 2018-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109135356A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李斌斌;毛帮笑;黄海泉 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B32/963 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅纳米线 疏水涂层 制备 聚碳硅烷 时间应用 制备工艺 超疏水 先驱体 一步法 自清洁 超轻 沉积 热解 疏水 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳化硅纳米线疏水涂层，其特征在于，涂层由直径为30-100nm的碳化硅纳米线组成，厚度为0.5-1.0mm，涂层疏水角为150°。
2.一种碳化硅纳米线疏水涂层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)将基体依次用丙酮、无水乙醇和去离子水超声清洗10min，去除表面的粉尘，氮气吹干待用；
(2)将0.8-1.2g聚碳硅烷研磨成粉末，放置于100℃烘箱加热3h，烘干备用；
(3)将(2)中的聚碳硅烷均匀置于陶瓷坩埚中，将陶瓷坩埚放置于管式炉的高温区，将基体放置于管式炉中尾部；将管式炉抽真空，通入氩气，保证管式炉中为常压，之后将管式炉以5-10℃/min升至1100-1200℃，保温2-3h，之后随炉冷却至室温，打开管式炉在基体上制备了碳化硅纳米线疏水涂层。
3.根据权利要求2所述的碳化硅纳米线疏水涂层的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述的基体包括，碳片、陶瓷基复合材料。
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