[发明专利]一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器有效
| 申请号： | 201810817256.X | 申请日： | 2018-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN109037958B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 杨荣草;徐建平;袁苏;张文梅 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01Q17/00 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 李富元 |
| 地址： | 030051 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 双频 调谐 赫兹 材料 吸收 | ||
1.一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，其特征在于：包括上层图案化层（1）、中间介质层（2）和下层金属底板（3）；所述上层图案化层（1）由金属-半导体硅谐振器周期平铺排列而成，所述金属-半导体硅谐振器为方形环结构（4）和十字形结构（5）所组成的“田”字形结构，所述方形环结构（4）四角和十字形结构（5）顶端分别嵌入了半导体硅（6），在光照下，当半导体硅电导率小于等于1S/m时，方形环结构（4）和十字形结构（5）之间不导通，处于双频段完全吸收状态，当半导体硅电导率大于等于2×105 S/m时， 方形环结构（4）和十字形结构（5）之间完全导通，处于单频段完全吸收状态，当半导体硅电导率大于1S/m小于2×105 S/m时，方形环结构（4）和十字形结构（5）之间处于不导通和完全导通的中间状态，实现双频段完全吸收状态和单频段完全吸收状态的切换，由于半导体硅电导率随光照强度增加而增加，该吸收器实现了不同光照强度条件下双频段完全吸收状态和单频段完全吸收状态的切换。
2.根据权利要求1所述的一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，其特征在于：所述方形环结构（4）和十字形结构（5）材料为金，所述方形环结构（4）和十字形结构（5）的厚度为0.35um～0.40um，所述方形环结构（4）的单根线长为74.5um～75.5um，所述方形环结构（4）的线宽为3.5 um～4.5um，所述十字形结构（5）的单根线长为67.5um～68.5um，所述十字形结构（5）的线宽为6.5um～7.5um，所述半导体硅（6）的厚度为0.35um～0.40um，宽度与对应接口处方形环结构（4）或十字形结构（5）的线宽相同。
3.根据权利要求1所述的一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，其特征在于：所述中间介质层（2）的材料为聚酰亚胺，所述中间介质层（2）的厚度为4.75um～5.25um。
4.根据权利要求1所述的一种单/双频段可调谐太赫兹波超材料吸收器，其特征在于：所述下层金属底板（3）的材料为金，所述金属底板（3）的厚度为0.35um～0.40um。
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