[发明专利]一种高值电阻的PHEMT器件

说明书

本发明提供了一种高值电阻的PHEMT器件，包括基底层、设置在基底层上的外延层，以及间隔设置在外延层上表面的金属层，通过欧姆接触的形式形成的漏极、栅极和源极；通过将栅极悬空或与源极短接的处理，所述PHEMT器件始终偏置在Vgs＝0的小栅压下，此状态下的PHEMT器件IDVD曲线线性区表现为高值电阻特性。本发明提供了一种高值电阻的器件，以在小面积下实现高阻值，并且没有附加的工艺步骤，不引入额外成本。

技术领域

本发明涉及一种电子元件，尤其一种高阻值的电子元件。

背景技术

在化合物半导体场效应管或pHEMT技术中，有些应用要求使用高值电阻。目前对于高值电阻的实现方法主要有使用离子注入，通过减少传导载流子数量来达到高阻值的方法，或是蚀刻半导体的一部分，通过减小导电层的厚度来实现高阻值。但上述方法在有限的面积内，能够达到的阻值仍然不够理想，因此为了获得高电阻，它必须消耗更大的面积，这与利用尽可能小的面积实现高阻值这一初衷相违背。

发明内容

本发明的目的在于克服上述现有技术中的不足，提供一种高值电阻的器件，以在小面积下实现高阻值，并且没有附加的工艺步骤，不引入额外成本。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种高值电阻的PHEMT器件，包括基底层、设置在基底层上的外延层，以及间隔设置在外延层上表面的金属层，通过欧姆接触的形式形成漏极、栅极和源极；

通过将栅极悬空或是将栅极与源极短接的方式，所述PHEMT器件始终偏置在Vgs＝0的小栅压下，此状态下的PHEMT器件IDVD曲线线性区表现为高值电阻特性。

在一较佳实施例中：所述栅极悬空，实现使器件偏置在栅压为V_gs＝0的低栅压状态。

在一较佳实施例中：所述栅极与源极短接，实现使器件偏置在栅压为V_gs＝0的低栅压状态。

在一较佳实施例中：所述外延层的上表面对应所述栅极的部分通过蚀刻形成一凹槽，能够较之前的实施例中进一步减小外延沟道层的厚度，减少导电载流子桐庐宽度，进一步提高器件阻值。

相较于现有技术，本发明的技术方案具备以下有益效果：

本发明提供了一种全新的实现高值电阻的器件，利用长栅长，宽度窄的PHEMT晶体管，将栅极悬空或者将栅极和源极短接。所实现的装置为一类似于半导体电阻的两端器件，其具有线性区和饱和区，将线性区域用作高值电阻。这种高值电阻的PHEMT器件实现高值电阻的原理是通过肖特基栅极减小导电层的载流子密度，从而实现高值电阻，与之前的通过减小半导体导电层厚度的方法相类似，但可以在小面积下实现高阻值，并且没有附加的工艺步骤，不引入额外成本。

附图说明

图1为本发明优选实施例1中高值电阻的PHEMT器件的结构图；

图2为本发明优选实施例2中高值电阻的PHEMT器件的结构图；

图3为本发明优选实施例3中高值电阻的PHEMT器件的结构图；

图4为本发明优选实施例4中高值电阻的PHEMT器件的结构图；

图5为本发明优选实施例1-4中四种高值电阻的PHEMT器件的阻值侧视图。

具体实施方式

下文结合附图和具体实施方式对本发明做进一步说明。

实施例1

参考图1，一种高值电阻的PHEMT器件，包括基底层、设置在基底层上的外延层，以及间隔设置在外延层上表面的漏极T1、栅极GD和源极T2；