[发明专利]透明显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201810818428.5 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN109037236B | 公开(公告)日: | 2020-10-30 |
发明(设计)人: | 陈文泰;李庚益;陈文斌;陈祖伟;陈国光 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种透明显示面板的制造方法,包括:
形成一主动层于一基底上;
形成一闸绝缘层于该主动层上;
形成一栅极于该闸绝缘层上;
形成一第一层间绝缘层于该栅极与该闸绝缘层上;
形成一第二层间绝缘层于该第一层间绝缘层上;
形成一辅助结构于该第二层间绝缘层上;
形成一源极与一漏极于该第二层间绝缘层上且分别电性连接至该主动层;
形成一第三层间绝缘层于该源极与该漏极上,并延伸覆盖该辅助结构;
以该辅助结构作为蚀刻停止层,移除该第三层间绝缘层的一部分与该第二层间绝缘层的一部分,以暴露出该第一层间绝缘层于一预定透明区;
形成一第四层间绝缘层于该第三层间绝缘层上,其中该第四层间绝缘层的至少一部分位于该预定透明区;
形成一下电极于该第四层间绝缘层上且电性连接至该漏极;
形成一像素定义层于该第四层间绝缘层上,其中该像素定义层的至少一部分位于该预定透明区,该像素定义层具有一开口位于一显像区;
形成一电致发光层于该开口中;以及
形成一上电极于该电致发光层上。
2.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中形成该辅助结构于该第二层间绝缘层上的步骤包括:
形成一辅助层于该第二层间绝缘层上;以及
图案化该辅助层,以暴露出该第二层间绝缘层,借此形成该辅助结构定义出该预定透明区。
3.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中该辅助结构为单一个方框、单一个圆框、单一个十字形、多个条状、多个圆框、多个方框或其组合。
4.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中以该辅助结构作为蚀刻停止层,移除该第三层间绝缘层的该部分与该第二层间绝缘层的该部分的步骤包括:
形成一光刻胶图案于该第三层间绝缘层上;以及
以该光刻胶图案为罩幕,移除该第三层间绝缘层的该部分、该第二层间绝缘层的该部分以及该第一层间绝缘层的一部分,使得位于该预定透明区外的该第一层间绝缘层的厚度为T1,而位于该预定透明区中的剩余的第一层间绝缘层的厚度为T2,200纳米≦T1≦400纳米且20纳米≦T2≦100纳米。
5.如权利要求4所述的透明显示面板的制造方法,其中以该辅助结构作为蚀刻停止层,移除该第三层间绝缘层的该部分与该第二层间绝缘层的该部分的步骤之后,该第四层间绝缘层直接接触该剩余的第一层间绝缘层。
6.如权利要求4所述的透明显示面板的制造方法,还包括:移除该第四层间绝缘层的一部分,以暴露出该第一层间绝缘层于该预定透明区,且该像素定义层直接接触该剩余的第一层间绝缘层。
7.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中该第一层间绝缘层的材料为硅的氧化物或硅的氮化物,且该第二层间绝缘层的材料为硅的氮化物或硅的氧化物。
8.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中该辅助结构的材料包括金属、金属氧化物、有机化合物或其组合,且该辅助结构的厚度为400纳米至700纳米。
9.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中该辅助结构与该第三层间绝缘层的蚀刻选择比为3%至8%;该辅助结构与该第二层间绝缘层的蚀刻选择比为2%至5%。
10.如权利要求1所述的透明显示面板的制造方法,其中该辅助结构、该源极及该漏极由相同膜层图案化所形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的