[发明专利]形成纳米片晶体管的方法及相关结构

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包含：

衬底，具有一对晶体管部位，其中，该衬底横向在该对晶体管部位之间的上表面界定分离区；

一对纳米片堆栈，各自位在该对晶体管部位的其中一者上；

绝缘衬里，在该分离区内共形地位在该衬底的该上表面上；

半导体心轴，位于该绝缘衬里上且位于该衬底的该分离区上方；

一对绝缘区，各自横向位于该半导体心轴与在该对晶体管部位的各者的侧壁表面上的该绝缘衬里之间；以及

源极/漏极外延区，位于该对绝缘区及该半导体心轴上方，其中，该源极/漏极外延区横向抵接该对纳米片堆栈的各者。

2.如权利要求1所述的集成电路 ( IC )结构，其中，该对晶体管部位的各者之间的横向分离大于约250纳米(nm)。

3.如权利要求1所述的集成电路 ( IC ) 结构，进一步包含：

一对栅极结构，各自位在该对纳米片堆栈的其中一者上；

一对绝缘帽盖，各自位在该对栅极结构的其中一者上且直接位在该源极/漏极外延区的一部分上；以及

沟槽硅化物，位在该源极/漏极外延区上且横向在该对绝缘帽盖之间。

4.如权利要求3所述的集成电路(IC) 结构，其中，该对绝缘帽盖的各者在该栅极结构与该沟槽硅化物之间的横向宽度大约等于该对绝缘区在该对晶体管部位的各者与该半导体心轴之间的横向宽度。

5.如权利要求1所述的集成电路 ( IC ) 结构，其中，该半导体心轴包含非晶半导体，且其中，该源极/漏极外延区包含结晶半导体。

6.如权利要求1所述的集成电路(IC) 结构，其中，该对纳米片堆栈的各者包括各自被多个半导体纳米片的其中一者分离的多个牺牲纳米片。

7.一种形成集成电路(IC)结构的方法，该方法包含：

在衬底的上表面上形成绝缘衬里，该衬底被包括在前驱结构中，该前驱结构具有：

横向隔开的一对晶体管部位，界定于该衬底内，其中，该绝缘衬里形成于该衬底横向在该对晶体管部位之间的该上表面上，

一对纳米片堆栈，各自位在该对晶体管部位的其中一者上，

以及

一对栅极结构，各自位在该对纳米片堆栈的各自一者上；

在该绝缘衬里上形成牺牲结构，其中，该牺牲结构包括：

半导体心轴，位在该绝缘衬里上，以及

掩膜层，位在该半导体心轴上，其中，该掩膜层的上表面位于该对栅极结构之上；

形成一对绝缘区，该对绝缘区的各者横向位在该牺牲结构与该对晶体管部位的其中一者之间；以及

移除该掩膜层以暴露该半导体心轴的该上表面；以及

从该对纳米片堆栈的暴露侧壁与该半导体心轴的该暴露上表面，外延成长在该对纳米片堆栈之间的源极/漏极外延区。

8.如权利要求7所述的方法，其中，形成该牺牲结构进一步包括：

沉积牺牲半导体层于该衬底及该对晶体管部位上方；

形成凹部于横向在该对晶体管部位之间的该牺牲半导体层内，其中，该凹部的下表面实质对齐在该对纳米片堆栈的各者中的纳米片，且其中，该凹部包括与该对晶体管部位的侧壁横向分离的一对侧壁；

形成该掩膜层于该凹部内；以及

移除该牺牲半导体层不在该掩膜层下面的部分，致使在该移除后，该牺牲半导体层的剩余部分界定该半导体心轴。

9.如权利要求8所述的方法，其中，形成该绝缘衬里于该衬底的该上表面上包括：

形成绝缘涂层于该衬底、该对晶体管部位、该对纳米片堆栈及该对栅极结构的暴露表面上；以及

在移除该牺牲半导体层的数个部分后，从该对晶体管部位、该对纳米片堆栈及该对栅极结构的暴露表面移除该绝缘涂层，致使该绝缘涂层位在该衬底与该半导体心轴之间的剩余部分界定该绝缘衬里。