[发明专利]掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明公开一种掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，为解决采用现有技术制作的显示器件中膜层的坡度角较大的问题。所述掩膜板包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。本发明提供的掩膜板用于制作膜层。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示器件的种类越来越多，其中有源矩阵有机发光二极体(英文：Active-matrix organic light emitting diode，以下简称：AMOLED)显示器件以其自发光、反应快、视角广、亮度高等优点受到了人们的广泛关注。

AMOLED显示器件主要包括发光单元部分和背板电路部分，且这两部分均包括层叠设置的多层膜层。目前，现有技术在制作AMOLED显示器件中的各膜层时，一般利用掩膜板结合构图工艺来制作，但是制作出的膜层坡度角较大，导致在制作后续的膜层时，后续的膜层在坡度角处连接困难，容易发生断裂，导致产品良率降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种掩膜板及其制作方法、阵列基板及其制作方法、显示装置，用于解决采用现有技术制作的显示器件中膜层的坡度角较大的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种掩膜板，包括透光基底和设置在所述透光基底上的至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。

进一步地，所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形，所述第一部分透光图形的透过率大于所述第二部分透光图形的透过率，所述第二部分透光图形的透过率大于所述第三部分透光图形的透过率；

所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形中的至少一个在所述透光基底上限定出开口区，且所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形沿靠近所述开口区至远离所述开口区的方向依次排列。

进一步地，所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的材料相同，且所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度，所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度小于所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度。

进一步地，所述第一部分透光图形、所述第二部分透光图形和所述第三部分透光图形的制备材料均包括氧化铬。

进一步地，所述第三部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度为所述第一部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度与所述第二部分透光图形在垂直于所述透光基底的方向上的厚度的和。

进一步地，所述第一部分透光图形的透过率在40％～60％之间，所述第二部分透光图形的透过率在3％～7％之间，所述第三部分透光图形的透过率为所述第一部分透光图形的透过率与所述第二部分透光图形的透过率的乘积。

基于上述掩膜板的技术方案，本发明的第二方面提供一种掩膜板的制作方法，用于制作上述掩膜板，所述制作方法包括：

在透光基底上形成至少三种不同透过率的部分透光图形，所述至少三种不同透过率的部分透光图形按照透过率大小依次排列。

进一步地，当所述至少三种不同透过率的部分透光图形包括第一部分透光图形、第二部分透光图形和第三部分透光图形时，所述在透光基底上形成至少三种不同透过率的部分透光图形的步骤具体包括：

在所述透光基底上沉积部分透光材料；