[发明专利]一种平面线圈的制作方法

权利要求书

1.一种平面线圈的制作方法，其特征在于包含以下步骤：

a.在基底上沉积第一绝缘层；

b.在第一绝缘层表面镀制金属层，金属层刻蚀出金属线圈结构和金属焊盘；

c.在形成的金属线圈结构和金属焊盘表面沉积下一层绝缘层，并制作导通孔；

d.在步骤c形成的绝缘层和导通孔表面镀制金属层，金属层刻蚀出金属线圈结构和金属焊盘；

e.依次重复步骤c和d，直至制作出需要的金属线圈匝数，

其中步骤a和c中绝缘层的沉积采用的是化学气相沉积、等离子体气相沉积、蒸发物理沉积或磁控溅射物理沉积，沉积材料为二氧化硅，厚度0.5~2μm，

其中步骤c中导通孔的制作包括在沉积的对应绝缘层上涂光刻胶，80℃下前烘5分钟后进行光强为7~12mW/cm²，时间16秒的曝光，显影60秒后进行后烘，完成导通孔图形光刻，然后使用BOE溶液进行刻蚀，实现导通孔制作，

其中步骤b和d中所述镀制金属层，金属层刻蚀出金属线圈结构和金属焊盘包括采用蒸发镀膜在对应绝缘层表面镀制金属层，镀制真空度大于8x10^-4Pa，镀制速率20~30nm/min，然后在金属层涂光刻胶，80℃下前烘5分钟后进行光强为7~12mW/cm²，时间16秒的曝光，显影60秒后进行后烘，完成金属线圈图形光刻，然后使用浓磷酸、浓硝酸、冰乙酸比例为1500：100：100mL的铝刻蚀液在50℃条件下刻蚀5分钟，形成金属线圈和金属焊盘，其中镀制的金属为铝，厚度0.5~3μm，线圈截面宽度3~100微米。

2.根据权利要求1所述的平面线圈的制作方法，其特征在于所述基底为单晶硅、石英、玻璃或金属材料。