[发明专利]一种带负阻特性的单向TVS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201810822137.3 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN109390385A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王允;苏海伟;赵德益;赵志方;张啸;吕海凤;霍田佳;杜牧涵;苏亚兵;蒋骞苑 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/329;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海诺衣知识产权代理事务所(普通合伙) 31298 | 代理人： | 衣然 |
| 地址： | 201202 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一区域 第二区域 背面 扩散区 负阻特性 瞬态电压抑制二极管 表面状态 位置保护 氧化工艺 漏电流 短路 耗电 衬底 功耗 击穿 深槽 制备 体内 占据 | ||
1.一种带负阻特性的单向TVS二极管，其特征在于，包括：
第一区域，是P区，由P型掺杂硅衬底构成；
第二区域，是N+区，由正面N型掺杂的扩散区构成；
第三区域，是P+区，由正面P型掺杂的扩散区构成；
第四区域，是N+区，由背面N型掺杂的扩散区构成；
其中第二区域和第三区域在第一区域的正面中，第二区域在第一区域的中间，第二区域和第三区域间距大于等于零；第四区域在第一区域的背面中，占据第一区域的整个背面。
2.根据权利要求1所述的带负阻特性的单向TVS器件，其特征在于：第一区域的P型掺杂浓度在5E17cm-3～2E18cm-3之间；第二区域的N型峰值掺杂浓度范围是5E18cm-3～3E19cm-3；第三区域的P型峰值掺杂浓度范围是5E18cm-3～5E19cm-3；第四区域的N型峰值掺杂浓度范围是5E18cm-3～3E19cm-3。
3.根据权利要求1所述的带负阻特性的单向TVS器件，其特征在于：第二区域的N型杂的结深范围为25μm～30μm；第三区域的P型杂的结深范围为5μm～15μm；第四个区域的N型杂的结深范围为25μm～30μm。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的带负阻特性的单向TVS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤(1)：在P型硅衬底晶圆片正面和背面开出N型掺杂区域窗口；
步骤(2)：在P型硅衬底晶圆片正面和背面同时扩散，形成双面N型元素掺杂；
步骤(3)：在晶圆片正面和背面氧化层上开出P型掺杂区域窗口；
步骤(4)：用扩散掺杂的方式进行双面P型元素掺杂；
步骤(5)：高温推阱；
步骤(6)：对背面进行深槽刻蚀，将背面P型元素掺杂区域挖掉，后氧化隔离；
步骤(7)：正面和背面的接触孔区域做金属布线引出。
5.根据权利要求1所述的一种带负阻特性的单向TVS器件的制作方法，其特征在于：在步骤(6)深槽刻蚀之前，需要使用光刻胶进行掩蔽，采用湿法腐蚀方式进行刻蚀。
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