[发明专利]感光元件及其制造方法在审
申请号: | 201810822629.2 | 申请日: | 2018-07-24 |
公开(公告)号: | CN108962929A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 张博超;陈瑞沛;黄国有;丘兆仟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁挥;祁建国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 顶电极 绝缘层 图案化光致抗蚀剂层 顶电极材料层 感光元件 感光材料层 图案化 掩模 开口 制造 第二导电层 电性连接 连续沉积 感光层 基板 移除 | ||
1.一种感光元件的制造方法,其特征在于,包括:
连续沉积一第二导电层、一感光材料层以及一第一顶电极材料层于一基板上;
形成一第一图案化光致抗蚀剂层于该第一顶电极材料层上;
以该第一图案化光致抗蚀剂层为掩模,图案化该第一顶电极材料层,以形成一第一顶电极;
移除该第一图案化光致抗蚀剂层;
以该第一顶电极为掩模,图案化该感光材料层,以形成一感光层;
形成一绝缘层于该第一顶电极上,且该绝缘层具有一开口;以及
形成一第二顶电极于该绝缘层上,该第二顶电极透过该开口而电性连接该第一顶电极。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,其中于连续沉积该第二导电层、该感光材料层以及该第一顶电极材料层于该基板上之前更包括:
形成一图案化第一导电层于该基板上;
形成一栅绝缘层于该图案化第一导电层上;以及
形成一半导体图案层于该栅绝缘层上,其中该第二导电层形成于该半导体图案层与该栅绝缘层上;且
于形成该感光层之后且形成该绝缘层之前更包括:
形成一第二图案化光致抗蚀剂层于该第二导电层上;以及
以该第二图案化光致抗蚀剂层为掩模,图案化该第二导电层,以定义出一图案化电极层以及一底电极,其中该底电极连接该图案化电极层,该图案化电极层覆盖部分该半导体图案层。
3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,其中该图案化第一导电层包括与该半导体图案层重叠的一栅极以及与该底电极重叠的一电容电极。
4.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,更包括:
形成一平坦层于该第二顶电极上;以及
形成一图案化导线层于该平坦层上,且该图案化导线层重叠于该图案化第一导电层及该图案化电极层,其中该图案化导线层电性连接至一接地电压。
5.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包括:
形成一平坦层于该第二顶电极上,其中该平坦层的介电强度大于200MV/m。
6.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包括:
形成一平坦层于该第二顶电极上,其中该平坦层为一有机材料,且该平坦层厚度大于2微米(μm)且小于或等于25微米。
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包括:
形成一平坦层于该第二顶电极上,其中形成该平坦层包括先形成一第一有机平坦材料层于该第二顶电极上,固化该第一有机平坦材料层以形成一第一有机平坦层,再形成一第二有机平坦材料层于该第一有机平坦层上,固化该第二有机平坦材料层以形成一第二有机平坦层。
8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,更包括:
形成一平坦层于该第二顶电极上;以及
形成一透明导电层于该平坦层上,且该透明导电层电性连接至一接地电压。
9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,其中该感光层的材料包括富硅氧化物。
10.一种感光元件,其特征在于,包括:
一底电极、一感光层以及一第一顶电极依续堆叠于一基板上,其中该感光层的材料包括富硅氧化物,其中该底电极与该感光层之间具有实质平坦的介面;
一绝缘层,设置于该第一顶电极上,且覆盖该第一顶电极和该感光层和该底电极,且该绝缘层具有一开口;以及
一第二顶电极,透过该开口而电性连接该第一顶电极。
11.如权利要求10所述的感光元件,其特征在于,其中该感光层以及该第一顶电极于该基板垂直投影的尺寸实质相等。
12.如权利要求10所述的感光元件,其特征在于,其中该第二顶电极的厚度大于该第一顶电极的厚度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的