[发明专利]微流控芯片的光固化键合方法

权利要求书

1.一种微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，包括步骤：

(1)将光敏树脂和非光固化树脂混合，并加入光敏剂、单体及其它助剂，得到混合原料；混合原料的组成按质量份数为：

(2)将所述混合原料混炼，得到待成型料；

(3)将所述待成型料注射成型微流控芯片，所述微流控芯片包括设有微流道的基片以及没有微流道，有连接孔的盖片；

(4)将所述盖片置于所述基片上，使所述盖片的连接孔与所述基片的微流道相连通，对贴合的盖片和基片施加压力，加热，进行紫外光辐照键合。

2.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述光敏树脂包括丙烯酸树脂、聚氨酯丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂、聚酯丙烯酸树脂、聚醚丙烯酸树脂中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述非光固化树脂包括对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚二甲基硅氧烷(PDMS)、聚丙乙烯(EPR)、聚酰胺(PA)、环烯烃聚合物(COP)、环烯烃共聚物(COC)、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚氯乙烯(PVC)中的一种或几种。

4.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述非光固化树脂为改性的或非改性的非光固化树脂。

5.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述混炼包括双螺杆挤出机挤出造粒、二辊压片机压片和搅拌机搅拌混炼中的一种。

6.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，施加压力为0.2～2MPa，加热温度为0～70℃，紫外光辐照强度为500～1500mW/cm2，主波长为200～400nm，辐照时间为1～20秒。

7.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述光敏剂包括2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮、1-羟基-环己基苯乙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化磷以及2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮中的一种或几种。

8.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述单体为乙氧基乙氧基乙基丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、二丙二醇二丙烯酸酯、二缩三丙二醇二丙烯酸酯中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，所述助剂为抗氧化剂、抗静电剂，润滑剂，加工助剂中的一种或几种。

10.根据权利要求1所述的微流控芯片的光固化键合方法，其特征在于，键合后的微流控芯片的键合强度测试为：

在常温10℃-45℃下，作用10N/cm²的正向拉力和侧向剪切力的交变力，交变频率0.5赫兹，作用时间200秒，100次不松动，然后滴加试剂，封接通道附近封接面没有液体进入或者进入量少于0.01mm；

在最低温-40℃下，作用不少于4N/cm²的正向拉力和侧向剪切力的交变力，交变频率0.5赫兹，作用时间200秒，100次不松动，然后滴加试剂，封接通道附近封接面没有液体进入或者进入量少于0.01mm；

在最高温75℃下，作用不少于4N/cm²的正向拉力和侧向剪切力的交变力，交变频率0.5赫兹，作用时间200秒，100次不松动，然后滴加试剂，封接通道附近封接面没有液体进入或者进入量少于0.01mm。