[发明专利]包括保护结构的半导体装置在审

专利信息
申请号: 201810824474.6 申请日: 2016-01-19
公开(公告)号: CN109037157A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: K·卡斯帕;A·科勒;E·瓦格纳 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/31
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 周家新
地址: 德国瑙伊*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体芯片 保护结构 切割边缘 源结构 半导体材料 半导体装置
【说明书】:

装置包括半导体芯片,所述半导体芯片包括切割边缘。所述装置还包括布置在所述半导体芯片的半导体材料中的有源结构和布置在所述切割边缘和所述有源结构之间的保护结构。

本申请是申请日为2016年1月19日、申请号为201610034564.6、发明名称为“包括保护结构的半导体装置”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及包括保护结构的半导体装置。此外,本发明涉及用于制造这种半导体装置的方法。

背景技术

在半导体装置的生产和操作期间,可能产生诸如热能或机械力的物理作用。例如,这种作用可以由切割工艺(dicing process)引起并且可以对待切割的半导体晶圆(wafer)的内部结构产生负作用。半导体装置和制造半导体装置的方法需要持续改进。具体地,期望避免半导体装置及其内部结构的损坏。

附图说明

包括附图以提供对各方面的进一步理解,并且附图包含在本说明书中并且构成本说明书的一部分。这些图图示各方面并且与说明书一起用于阐释各方面的原理。将容易理解其他方面和各方面的很多预期优点,因为它们通过参考以下详细说明书变得更好理解。这些图的元件不必然相对于彼此成比例。类似的附图标记可以指代相应类似的部分。

图1示意性图示根据本申请的装置100的剖切侧视图。

图2示意性图示根据本申请的另一装置200的剖切侧视图。

图3示意性图示根据本申请的另一装置300的俯视图。

图4示意性图示根据本申请的另一装置400的剖切侧视图。

具体实施方式

在以下详细说明中,参考附图。这些图以图示的方式示出本发明可以实践的具体方面。就此而言,关于所描述的图的取向可以使用诸如“顶”、“底”、“前”、“后”等等的方向术语。因为所描述的装置的部件可以定位在多个不同取向上,所以所述方向术语可以用于阐述目的并且绝不是限定性的。可以使用其他方面,并且可以做出结构改变或逻辑改变而不偏离本发明的构思。因此,以下详细说明不用于限制,并且本发明的构思由所附权利要求限定。

如在说明书中采用的,术语“连接的”、“耦合的”、“电连接的”和/或“电耦合的”并非旨在必然意味着元件必须直接连接或耦合在一起。在“连接的”、“耦合的”、“电连接的”或“电耦合的”元件之间可以设置中间元件(intervening element)。

此外,就例如形成或定位在物体的表面“上方”的材料层而言所使用的文字“在……上方”可以在此用于意味着材料层可以“直接”定位(例如,形成、沉积,等等)在隐含的表面上,例如与隐含的表面直接接触。就例如形成或定位在表面“上方”的材料层而言所使用的文字“在……上方”也可以在此用于意味着材料层可以“间接”定位(例如,形成、沉积,等等)在隐含的表面上,例如,一个或多个附加层布置在隐含的表面和材料层之间。

在此描述装置和用于制造装置的方法。结合所描述的装置做出的评论也可以适用于相应的方法,反之亦然。例如,如果描述了装置的特定部件,则用于制造所述装置的相应方法可以包括以合适的方式提供所述部件的行为,即使这种行为没有明确描述或在图中图示。此外,除非特定指出,在此所描述的各种方面和示例的特征可以彼此组合。

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