[发明专利]一种Cs2 有效
申请号: | 201810825225.9 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN109216563B | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 於黄忠;张弜;黄承稳;黄欣欣;巫祖萍;陈金雲;薛开元 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L51/46 | 分类号: | H01L51/46;H01L51/48 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cs base sub | ||
1.一种Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池,其特征在于,包括阴极基底(01)、电子传输层(02)、活性层(03)、空穴传输层(04)以及阳极层(05);所述活性层(03)由P3HT:PCBM与Cs2SnI6粉末掺杂而成;
所述活性层中Cs2SnI6粉末掺杂质量百分比为0.5%~5%;
所述Cs2SnI6粉末的粒径大小为10~100nm;
所述Cs2SnI6材料制备方法为:取372 mg CsI和260 mg SnI2依次溶于6.8ml HI、1.7 mlH3PO2和0.4 ml H2O的混合溶液中并保持油浴100~120℃,几分钟后开始析出黄色针状晶体,生长24小时左右,过滤干燥即得Cs2SnI6黑色粉末。
2.根据权利要求1所述Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池,其特征在于,所述阴极基底(01)选自铟锡氧化物玻璃(ITO);所述电子传输层(02)为ZnO;所述空穴传输层(04)为MoOx;所述阳极层(05)为银。
3.根据权利要求1所述Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、清洗阴极基底,并对所述阴极基底的阴极层表面进行表面处理;
步骤二、在经过步骤一表面处理过的所述阴极层表面依次旋涂电子传输层、活性层;所述活性层由P3HT:PCBM与Cs2SnI6粉末掺杂而成;
步骤三、在步骤二所述的活性层表面依次蒸镀空穴传输层以及阳极层,制得所述掺杂有机太阳能电池。
4.根据权利要求3所述Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤一中,所述阴极基底处理包括:首先依次用洗洁精、去离子水、丙酮、无水乙醇、异丙醇各超声清洗15~20分钟;其次在70~80℃真空干燥箱中烘干;最后对所述清洗烘干的阴极基底表面进行10~15分钟的等离子表面处理。
5.根据权利要求3所述Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述电子传输层为ZnO:将ZnO溶液旋涂在上述处理过的阴极基底表面上,转数为4000~5000rpm,时间为30~40s;将旋涂完氧化锌的阴极基底进行退火处理,温度为180~200℃,时间为50~60分钟,电子传输层厚度为4~5nm。
6.根据权利要求3所述Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池的制备方法,其特征在于,步骤二中,所述活性层制备工艺为:首先将Cs2SnI6粉末研磨并分散在二氯苯溶剂中,将上述混合液超声分散,用0.22μm的有机滤头过滤,并计算所述滤液浓度;其次将P3HT和PCBM混合均匀后滴加Cs2SnI6滤液配置成质量浓度为20mg/ml的溶液,搅拌10~12小时,掺杂Cs2SnI6质量百分比为0.5~5%;最后在已旋涂电子传输层表面上旋涂活性层溶液,转数为800~1000rpm,时间为30~40s,活性层厚度为180~200nm;所述活性层旋涂完成后放置2~3小时自然晾干,随后以100~150℃退火处理5~10分钟。
7.根据权利要求3所述Cs2SnI6掺杂有机太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述步骤三中,所述空穴传输层为MoOx,其厚度为1~2nm;所述阳极层为银,其厚度为80~100nm。
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