[发明专利]一种砷化镓多晶合成装置在审
| 申请号： | 201810825693.6 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN108570708A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 肖亚东;刘国军;谈笑天 | 申请（专利权）人： | 汉能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/42 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 101407 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 承装容器 上腔 多晶合成装置 加热装置 多晶料 加热腔 砷化镓 开口 合成 垂直布里奇曼法 装料 单晶生产 投料量 单晶 多晶 竖直 下腔 匹配 成型 | ||
1.一种砷化镓多晶合成装置，其特征在于，包括：
具有加热腔的加热装置；
竖直安装在所述加热腔内的反应容器，所述反应容器具有相连通的上腔和下腔；
安装在所述上腔内的承装容器，所述承装容器设有向上的开口，且所述开口与所述上腔相连通。
2.根据权利要求1所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述反应容器内安装有容器托，所述容器托设于所述上腔和所述下腔之间，所述容器托的内壁承托所述承装容器，所述容器托的外壁与所述反应容器的内壁相抵，且所述容器托设有连通所述上腔和所述下腔的连通结构。
3.根据权利要求2所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述连通结构包括开设在所述容器托中部的贯通孔和开设在所述容器托内壁上的沟槽，所述贯通孔分别连通所述上腔和所述下腔，所述沟槽连通所述贯通孔和所述上腔。
4.根据权利要求2所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述连通结构包括开设在所述容器托外壁上的沟槽，所述沟槽分别连通所述上腔和所述下腔。
5.根据权利要求2-4任一项所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述容器托的材质包括石英、氮化硼、莫来石、碳化硅和石墨中的一种。
6.根据权利要求1-4任一项所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述加热腔具有高温区和低温区，所述上腔位于所述高温区内，所述下腔位于所述高温区内。
7.根据权利要求6所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述高温区和所述低温区之间设有隔热层。
8.根据权利要求1-4任一项所述的砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述反应容器在所述上腔和所述下腔之间还设有缩颈部，所述缩颈部的径向尺寸小于所述上腔和所述下腔的径向尺寸，所述缩颈部分别连通所述上腔和下腔。
9.根据权利要求1-4任一项所述砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述加热装置的内壁连接有导热层。
10.根据权利要求9所述砷化镓多晶合成装置，其特征在于，所述导热层的材质包括碳化硅。
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