[发明专利]发光二极管装置在审
| 申请号： | 201810826120.5 | 申请日： | 2018-07-25 |
| 公开（公告）号： | CN110767786A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 刘立悰 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 导电层 绝缘层 发光二极管装置 发光层 高介电 穿隧电流 电流扩散 图形设计 局域性 全平面 电极 上光 遮蔽 发光 铺设 激发 | ||
1.一种发光二极管装置，其特征在于，包含：
一第一半导体层与一第二半导体层；
一发光层，位于该第一半导体层与该第二半导体层之间；
一导电层，位于该第二半导体层上；以及
一高介电系数绝缘层，均匀的铺设于该第二半导体层与该导电层之间。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该高介电系数绝缘层的介电系数大于或等于4。
3.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该高介电系数绝缘层包含氧化铝、钛酸钡、二氧化钛、二氧化铪、氧化镧或氧化镨。
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含一金属电极，其接触该导电层，且该金属电极与该导电层接触的对应区域内不具有电流阻挡层。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，当该导电层被施加一电压且该电压小于该发光二极管装置的一点亮电压时，该导电层、高介电系数绝缘层以及该第二半导体层形成一电容。
6.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含一金属电极，其接触该导电层，当该发光二极管装置于发光状态时，施加于该金属电极的电流与电压为一非线性关系。
7.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，还包含一金属电极，其接触该导电层，当该发光二极管装置于发光状态时，施加于该金属电极的电流与电压为一曲线关系。
8.根据权利要求4所述的发光二极管装置，其特征在于，该发光二极管装置于该导电层的出光强度除该金属电极的阻光区外的最大差值在30％的范围内。
9.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该高介电系数绝缘层的厚度小于15纳米。
10.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于，该高介电系数绝缘层的厚度范围介于3～8纳米。
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