[发明专利]一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法有效
申请号: | 201810826139.X | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN110228797B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 张国华;孙国栋;常贺强 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | C01B21/06 | 分类号: | C01B21/06;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人: | 张仲波 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 低成本 制备 二维 氮化 纳米 方法 | ||
1.一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法,其特征在于包括以下步骤:
(1)将钼精矿或二硫化钨和碳酸钠按一定化学计量比混合均匀,在高温炉中氨气气氛下进行氮化反应;
(2)将步骤(1)中得到的产物洗涤、过滤、干燥得到二维氮化钼纳米片或二维氮化钨纳米片;
所述钼精矿为二硫化钼质量分数为95%的钼精矿,或使用纯度为99%的二硫化钼替代;所述的二硫化钨为纯度99%的二硫化钨。
2.根据权利要求1所述的一种低成本制备二维氮化钼或氮化钨纳米片的方法,其特征在于,步骤(1)中所述的钼精矿和碳酸钠的配料比为钼精矿中二硫化钼的实际含量与碳酸钠摩尔比1:1.5-1:4;所述的二硫化钨和碳酸钠的配料比为摩尔比1:1.5-1:4;所述的氮化反应温度为600-900℃;步骤(2)所述的洗涤方法为水洗和酸洗。
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