[发明专利]反应腔室和半导体热处理设备

说明书

本发明提供了一种反应腔室，包括腔室本体，还包括旋转盘、套设在所述旋转盘外周的导流板、以及位于所述旋转盘下方的冷却盘，其中，所述冷却盘上设有相连通的环形通道和第一进气通道，所述环形通道的靠近所述冷却盘外边缘的侧壁与所述导流板的外周壁之间、所述导流板的顶壁与所述腔室本体的底壁之间共同形成边缘导流结构，防腐蚀气体能由所述第一进气通道经所述边缘导流结构进入所述腔室本体。本发明还提供一种半导体处理设备。所述反应腔室通过所述边缘导流结构防止所述腔室本体内的腐蚀性工艺气体对所述冷却盘和所述旋转盘造成腐蚀。

技术领域

本发明涉及半导体设备工艺领域，具体涉及一种反应腔室和半导体热处理设备。

背景技术

硅片是一种重要的半导体材料，所述硅片的氧化工艺是一种对硅片所处的环境要求非常高的工艺，在所述氧化工艺过程中会向工艺腔室中通入C₂H₂Cl₂、Cl₂或HCl等腐蚀性工艺气体，所述腐蚀性工艺气体会对工艺腔室的金属密封门、支撑硅片反应的金属旋转盘等部件具有比较强的腐蚀性，金属部件被腐蚀后产生的反应产物，会随着工艺腔室的气流附着于硅片的表面，造成硅片的污染，影响硅片的氧化质量。

因此，如何设计一种反应腔室，改善所述反应腔室的底部结构，防止所述反应腔室内的腐蚀性工艺气体对所述底部结构中金属组件的腐蚀，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种反应腔室和一种半导体热处理设备。所述反应腔室通过所述边缘导流结构防止所述腔室本体内的腐蚀性工艺气体对所述冷却盘和所述旋转盘造成腐蚀。

为至少解决上述问题之一，作为本发明第一个方面，提供了一种反应腔室，包括腔室本体，其中，还包括旋转盘、套设在所述旋转盘外周的导流板、以及位于所述旋转盘下方的冷却盘，其中，

所述冷却盘上设有相连通的环形通道和第一进气通道，所述环形通道的靠近所述冷却盘外边缘的侧壁与所述导流板的外周壁之间、所述导流板的顶壁与所述腔室本体的底壁之间共同形成边缘导流结构，防腐蚀气体能由所述第一进气通道经所述边缘导流结构进入所述腔室本体。

优选地，所述反应腔室还包括定位件和位于所述腔室本体内的保温座，所述保温座与所述旋转盘连接，且所述保温座在朝向所述导流板的一侧边缘处设有所述定位件，所述定位件上设有环形凹槽，其中，

所述导流板上设有能容纳在所述环形凹槽中的环形凸起，所述冷却盘的顶壁与所述旋转盘的底壁之间、所述定位件与所述环形凸起之间共同形成辅助导流结构；

所述辅助导流结构与第二进气通道连通，所述防腐蚀气体能由所述第二进气通道经所述辅助导流结构进入所述腔室本体。

优选地，所述导流板包括环状主体板、折边板和所述环形凸起，其中，所述环状主体板外边缘向上弯折后再沿其径向向外延伸形成所述折边板，所述环状主体板内边缘处设有所述环形凸起。

优选地，所述冷却盘上表面凹陷形成所述环形通道，所述环形通道包括通道底壁、靠近所述冷却盘外边缘的第一环形侧壁以及与所述第一环形侧壁相对的第二环形侧壁，其中，

所述第一环形侧壁与所述折边板的外周壁之间形成第一导流通道，所述折边板的顶壁对应的与所述腔室本体的底壁之间形成第二导流通道，所述第一导流通道和所述第二导流通道相连通形成所述边缘导流结构。

优选地，所述第一进气通道的一端连接至所述通道底壁，另一端连接进气管路。

优选地，所述定位件包括定位环，所述定位环上设有所述环形凹槽，所述环形凹槽远离中心的一个槽侧壁边缘沿所述定位环径向向外延伸形成第一延伸板，所述环形凹槽靠近中心的一个槽侧壁边缘沿所述定位环径向向内延伸形成第二延伸板，其中，