[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板以及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括依次形成在衬底上栅电极、栅极绝缘层、有源层以及源电极和漏电极，所述源电极连接至所述有源层的第一端，所述漏电极连接至所述有源层的第二端，所述源电极和漏电极分别包括与所述栅电极相互重叠的第一区域和位于所述第一区域之外的第二区域，其特征在于，所述源电极和漏电极中，至少所述第一区域形成有镂空图案，以减小所述源电极和漏电极与所述栅电极的正对面积。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述镂空图案的形状为多边形、圆形、椭圆形或其他不规则图形；其中，所述镂空图案是通过光罩工艺制备形成于所述源电极和漏电极中。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述镂空图案的在沿所述栅电极的长度方向上的宽度为1～10μm。

4.根据权利要求1-3任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极中，所述第一区域和所述第二区域均形成有所述镂空图案。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极的第一区域为梳状结构，所述梳状结构的梳齿部连接到所述有源层，相邻两个梳齿部之间的间隙形成为所述镂空图案。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述梳齿部的线宽为1～5μm，相邻两个梳齿部之间的间距为1～10μm。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述源电极和漏电极分别包括多个依次间隔排列的横向分支和多个依次间隔排列的纵向分支，所述多个横向分支和多个纵向分支纵横交错，在所述第一区域和所述第二区域分别限定出所述镂空图案。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述横向分支的线宽为1～5μm，相邻两个横向分支之间的间距为1～10μm；所述纵向分支的线宽为1～5μm，相邻两个纵向分支之间的间距为1～10μm。

9.一种阵列基板，包括形成在衬底基板上的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极与所述薄膜晶体管电性连接，其特征在于，所述薄膜晶体管为权利要求1-8任一所述的薄膜晶体管。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求9所述的阵列基板。