[发明专利]一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810828600.5 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN108987582A 公开(公告)日: 2018-12-11
发明(设计)人: 李金华;杨子璐;王贤保;王建颖;梅涛 申请(专利权)人: 湖北大学
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y40/00
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘奇
地址: 430000 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 太阳能电池 热稳定性 硫化镉 吸光层 氧化锌 载流子 太阳能电池领域 光电转换效率 退火 光电性能 晶格匹配 开路电压 填充因子 有效迁移 阻挡层 相容 制备 阻碍
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿太阳能电池,包括依次设置的透明导电玻璃基底,ZnO致密层,CdS阻挡层,CH3NH3PbI3钙钛矿吸光层,Spiro-MeOTAD空穴层和导电金电极。

2.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述CdS阻挡层的厚度为30~90nm。

3.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述ZnO致密层的厚度为30~60nm。

4.根据权利要求1所述的钙钛矿太阳能电池,其特征在于,所述导电金电极的厚度为80~100nm。

5.权利要求1~4任意一项所述钙钛矿太阳能电池的制备方法,包括以下步骤:

(1)在超声条件下,将透明导电玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、异丙醇、乙醇和去离子水清洗,然后用氮气吹干,得到预处理基底;

(2)将氧化锌前驱体溶液旋涂在所述预处理基底表面,得到FTO/ZnO;

(3)将所述步骤(2)得到的FTO/ZnO浸泡在CdS溶液中,得到FTO/ZnO/CdS;

(4)在所述步骤(3)得到的FTO/ZnO/CdS中CdS层表面旋涂CH3NH3PbI3钙钛矿前驱体溶液后进行退火处理,得到FTO/ZnO/CdS/CH3NH3PbI3

(5)在所述步骤(4)得到的FTO/ZnO/CdS/CH3NH3PbI3中CH3NH3PbI3层表面旋涂空穴传输层前驱体溶液后氧化,形成空穴传输层,得到FTO/ZnO/CdS/CH3NH3PbI3/spiro-OMeTAD,所述空穴传输层前驱体溶液包括2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴、氯苯、锂盐和四叔丁基吡啶;

(6)在所述步骤(5)形成的空穴传输层表面沉积Au作为对电极,得到钙钛矿太阳能电池。

6.根据权利要求5所述制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中CdS溶液的制备方法包括以下步骤:将硫代乙酰胺和二水合乙酸镉溶解在水中反应得到。

7.根据权利要求6所述制备方法,其特征在于,所述硫代乙酰胺和二水合乙酸镉的质量比为7~9:26~30。

8.根据权利要求5所述制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中旋涂CH3NH3PbI3钙钛矿前驱体溶液时滴加反溶剂。

9.根据权利要求5所述制备方法,其特征在于,所述步骤(4)中退火处理的温度为60~100℃,所述退火处理的时间为5~10min。

10.根据权利要求5所述制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中旋涂后还包括:对旋涂后的样品进行退火处理,所述退火处理的温度为180~200℃,所述退火处理的时间为10~15min。

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