[发明专利]移位寄存器单元及其驱动方法、栅极驱动电路及显示装置有效
申请号: | 201810828750.6 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN108648716B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 冯雪欢;李永谦 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | G09G3/36 | 分类号: | G09G3/36;G09G3/3208;G11C19/28 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 彭久云 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 移位寄存器 单元 及其 驱动 方法 栅极 电路 显示装置 | ||
1.一种移位寄存器单元,包括:消隐输入电路、显示输入电路、输出电路、上拉控制节点和上拉节点;
其中,所述消隐输入电路被配置为响应于消隐输入信号在消隐时段将消隐上拉信号输入到所述上拉节点,并且,所述消隐输入电路包括充电子电路,所述充电子电路包括至少两个晶体管,分别直接响应于第一补偿控制信号和第二补偿控制信号,将所述消隐上拉信号输入到所述上拉控制节点,所述第一补偿控制信号和所述第二补偿控制信号其中之一为随机信号;
所述显示输入电路被配置为响应于显示输入信号在显示时段将显示上拉信号输入到所述上拉节点;
所述输出电路被配置为在所述上拉节点的电平的控制下,将复合输出信号输出至输出端。
2.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其中,所述充电子电路包括第一晶体管和第二晶体管,
所述第一晶体管的栅极被配置为接收所述第一补偿控制信号,所述第一晶体管的第一极被配置为与消隐上拉信号端连接以接收所述消隐上拉信号,所述第一晶体管的第二极被配置为与所述第二晶体管的第一极连接,
所述第二晶体管的第二极被配置为与所述上拉控制节点连接,所述第二晶体管的栅极被配置为接收所述第二补偿控制信号。
3.根据权利要求1所述的移位寄存器单元,其中,所述消隐输入电路还包括:
存储子电路,被配置为存储所述充电子电路输入的所述消隐上拉信号;
隔离子电路,被配置为在所述消隐输入信号的控制下,将所述消隐上拉信号输入到所述上拉节点。
4.根据权利要求3所述的移位寄存器单元,其中,所述存储子电路包括第一电容,所述第一电容的第一极被配置为和所述上拉控制节点连接,所述第一电容的第二极被配置为与第一电压端连接以接收第一电压;
所述隔离子电路包括第三晶体管,所述第三晶体管的栅极被配置为与消隐输入信号端连接以接收所述消隐输入信号,所述第三晶体管的第一极被配置为与所述上拉控制节点连接,所述第三晶体管的第二极被配置为与所述上拉节点连接。
5.根据权利要求1-4任一项所述的移位寄存器单元,其中,所述显示输入电路包括第四晶体管,
所述第四晶体管的栅极与显示输入信号端连接以接收所述显示输入信号,所述第四晶体管的第一极与显示上拉信号端连接以接收所述显示上拉信号,所述第四晶体管的第二极与所述上拉节点连接。
6.根据权利要求1-4任一项所述的移位寄存器单元,其中,所述输出端包括移位信号输出端和第一像素信号输出端,
所述输出电路包括第一输出晶体管、第二输出晶体管和第二电容;
所述第一输出晶体管的栅极与所述上拉节点连接,所述第一输出晶体管的第一极与第一输出时钟信号端连接以接收第一输出时钟信号,所述第一输出晶体管的第二极与所述移位信号输出端连接;
所述第二输出晶体管的栅极和所述上拉节点连接,所述第二输出晶体管的第一极与所述第一输出时钟信号端连接以接收所述第一输出时钟信号,所述第二输出晶体管的第二极与所述第一像素信号输出端连接;
所述第二电容的第一极和所述上拉节点连接,所述第二电容的第二极与所述第一输出晶体管的第二极连接;
所述第一输出时钟信号经由所述第一输出晶体管传输至所述移位信号输出端以作为第一输出信号,所述第一输出时钟信号经由所述第二输出晶体管传输至所述第一像素信号输出端以作为第二输出信号,所述复合输出信号包括所述第一输出信号和所述第二输出信号。
7.根据权利要求6所述的移位寄存器单元,其中,所述输出端还包括第二像素信号输出端,所述输出电路还包括第三输出晶体管,
所述第三输出晶体管的栅极与所述上拉节点连接,所述第三输出晶体管的第一极与第二输出时钟信号端连接以接收第二输出时钟信号,所述第三输出晶体管的第二极与所述第二像素信号输出端连接,
所述第二输出时钟信号经由所述第三输出晶体管传输至所述第二像素信号输出端以作为第三输出信号,所述复合输出信号还包括所述第三输出信号。
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