[发明专利]一种倒装LED及封装方法在审

专利信息
申请号: 201810828927.2 申请日: 2018-07-25
公开(公告)号: CN109244214A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 董学文;董月圆 申请(专利权)人: 长兴科迪光电股份有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62
代理公司: 杭州知瑞知识产权代理有限公司 33271 代理人: 陈俊
地址: 313100 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 倒装 组织层 封装 键合材料层 线路板 中央芯片 散射面 衬底 反光 透明树脂胶层 印制 导电连接层 安装结构 电极引脚 连接电极 量子阱层 使用寿命 蓝宝石 硅基板 上表面 下表面 最上层 融点 水脂 图线 引脚 衬托 错位 芯片
【权利要求书】:

1.一种倒装LED,其特征在于:包括透明树脂胶层(101)、中央芯片组织层(2)及衬托组织层(3)组成;所述的中央芯片组织层(2)最上层为蓝宝石衬底(102),其衬底上依次形成N型GaN层(103)、量子阱层(104)、P型GaN层(105)和反光散射面(107);所述的反光散射面(107)水脂胶定位于印制线路板(202)上表面;所述的印制线路板(202)下表面的键合材料层(204)通过图线导电连接层(302)连接电极引脚(305);所述的电极引脚(305)设置于硅基板(301)内部。

2.根据权利要求1所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的透明树脂胶层(101)位圆弧状。

3.根据权利要求1所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的P型GaN层(105)刻蚀量子阱层(104)形成P电极平台,P电极平台暴露于N型GaN层外,且N型GaN层独立形成N电极平台。

4.根据权利要求1所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的N电极平台与P电极平台形成于印制线路板(202)表面上,其材料为铝基金属。

5.根据权利要求1所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的印制线路板(202)和硅基板衬底(301)之间设置有键合材料层(204),其材料为陶瓷材料,且四周由硅胶膜围绕包裹。

6.根据权利要求5所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的键合材料层(204)中央开设有金属化接导点(203)。

7.根据权利要求6所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的金属化接导点(203)与图线导电连接层(302)接触处为硅基板(301)上表面空腔散热层(301),且由银胶固晶体绝缘层(303)封装。

8.根据权利要求6所述的一种倒装LED,其特征在于:所述的硅基板(301)底部设置有若干散热通孔(304),且延伸至内部电极引脚(305)。

9.根据权利要求1所述的一种倒装LED方法,包括:如下步骤,

步骤1):采用扩片机对对黏胶芯片膜进行扩张,使LED芯片之间距拉伸约为0.6mm;

步骤2):在LED硅基板支架的相应位置用银胶固晶体进行点胶或备胶处理;

步骤3):将扩张后的LED芯片同印制线路板、键合材料层通过银胶固晶体自动装夹刺片于硅基板支架位置上;

步骤4):对银胶固晶体进行150°至200°的一小时烧结固化处理;

步骤5):将电机引到LED芯片上进行金丝球(铝丝球)孔串压焊处理;

步骤6):在LED成型模内注入液态环氧,插入压焊后的硅基板支架,放入烘箱进行环氧固化灌水胶封装成型处理;

步骤7):由划片机对LED支架连筋进行切筋,分离工作,最后测试包装处理。

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