[发明专利]应用于压接型MOSFET的压装结构

权利要求书

1.一种压装结构，应用于压接型MOSFET，其特征在于：包括第一铜块，弹性结构，压接型MOSFET，电路板，第二铜块；

其中，所述第一铜块底部设有凹槽，所述弹性结构与所述压接型MOSFET置于所述凹槽中；

所述弹性结构的顶部与所述第一铜块电气连接；所述弹性结构的底部与所述压接型MOSFET的漏极顶部耦接；

在没有外部压力的情况下，所述第一铜块与所述电路板不接触，所述第一铜块仅通过所述弹性结构与所述压接型MOSFET漏极电气连接；

所述压接型MOSFET设置于所述电路板上面，并且所述压接型MOSFET底部源极和栅极电气连接所述电路板；

所述电路板下面刚性连接第二铜块。

2.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：所述弹性结构包括主弹簧，两个辅助弹片和金属基座；其中，所述金属基座具有凹槽结构，所述主弹簧一端与所述金属基座的凹槽耦接，所述辅助弹片的一端与金属基座耦接；所述主弹簧的另一端与第一铜块底部凹槽耦接，在无外部压力时，所述辅助弹片的另一端与所述第一铜块底部凹槽轻微接触或不接触。

3.如权利要求2所述的压装结构，其特征在于：所述弹性结构的金属基座的底部与所述压接型MOSFET漏极顶部电气耦接。

4.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：所述电路板采用FR4基板、铝基板或铜基板。

5.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：所述电路板包括顶层电路层，第一层绝缘导热层，中间电路层，第二层绝缘导热层和基板。

6.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：当所述第一铜块与所述第二铜块之间施加压力较小时，所述弹性结构形变小，所述第一铜块与所述电路板不接触，所述第一铜块仅通过所述弹性结构与所述压接型MOSFET漏极电气连接。

7.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：当所述第一铜块与所述第二铜块之间施加压力较大时，所述弹性结构形变增大，所述第一铜块与所述电路板接触，所述第一铜块既通过所述弹性结构与所述压接型MOSFET漏极电气连接，也通过所述第一铜块与所述电路板的接触面、经所述电路板的顶层电路层的敷铜区域与所述压接型MOSFET漏极电气连接。

8.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：所述压接型MOSFET的漏极金属外壳的边缘与所述电路板顶层电路层耦接，所述压接型MOSFET的栅极通过过孔与所述电路板中间电路层耦接，所述压接型MOSFET的源极通过导电导热介质与所述电路板的基板耦接。

9.如权利要求1所述的压装结构，其特征在于：包括多个压接型MOSFET，形成压接型MOSFET阵列，所述压接型MOSFET阵列排布成环形或矩阵形。

10.如权利要求9所述的压装结构，其特征在于：所述第一铜块、第二铜块和弹性结构根据所述压接型MOSFET阵列的排布方式进行相应设置。

11.如权利要求10所述的压装结构，其特征在于：在多个所述压接型MOSFET的漏极为不同电位时，设置多个第一铜块，并在不同第一铜块之间增加绝缘环隔层；

在多个所述压接型MOSFET的源极为不同电位时，设置多个第二铜块，并在不同第二铜块之间增加绝缘环隔层。