[发明专利]提纯太阳能级多晶硅的装置

权利要求书

1.一种提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：包括炉体（21），所述炉体（21）的底部设置有坩埚杆（20），所述坩埚杆（20）的一端位于所述炉体（21）的外侧，所述坩埚杆（20）的另一端位于所述炉体（21）内，坩埚支撑（17）固定在所述坩埚杆（20）位于炉体（21）内的一端上，坩埚（18）位于所述坩埚支撑（17）内，所述坩埚支撑（17）的外周设置有加热器（16），所述坩埚（18）的上方设置有偶数个电磁约束熔炼器，所述电磁约束熔炼器用于产生区域熔炼熔池，通过区域熔炼熔池对多晶硅锭进行熔化加热的同时进行电磁约束，所述电磁约束熔炼器从下到上设置，且相邻的所述电磁约束熔炼器左右错开设置，上一个所述电磁约束熔炼器的高度高于相邻的下侧的电磁约束熔炼器的高度，电磁约束熔炼器所产生的熔炼熔池伴随多晶硅锭的提拉运动对多晶硅锭进行提纯，所述炉体（21）的顶部设置有籽晶杆（1），所述籽晶杆（1）的上端位于所述炉体（21）外侧，所述籽晶杆（1）的下端位于所述炉体（21）内，位于所述炉体（21）内的籽晶杆的一端上固定有籽晶（2），且所述籽晶杆（1）在左右方向上位于电磁约束熔炼器之间，位于所述炉体（21）外侧一端籽晶杆（1）上设置有籽晶杆升降及旋转装置，用于驱动所述籽晶杆（1）上下升降运动；位于所述炉体（21）外的所述坩埚杆（20）的一端设置有坩埚杆旋转驱动装置，用于通过驱动所述坩埚杆（20）转动带动所述坩埚转动。

2.如权利要求1所述的提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：所述电磁约束熔炼器设置有四个，从下到上为电磁约束熔炼器a（14）、电磁约束熔炼器b（12）、电磁约束熔炼器c（10）和电磁约束熔炼器d（8），其中所述电磁约束熔炼器a（14）和电磁约束熔炼器c（10）位于左侧，电磁约束熔炼器b（12）和电磁约束熔炼器d（8）位于右侧，电磁约束熔炼器a（14）、电磁约束熔炼器b（12）、电磁约束熔炼器c（10）和电磁约束熔炼器d（8），用于对多晶硅锭（3）上区域熔炼熔池内的熔体产生对称的电磁约束力，保持多晶硅锭（3）受力平衡，并可以上下运动和左右运动。

3.如权利要求2所述的提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：每个所述电磁约束熔炼器的下侧设置有一个位置传感器（8-3），所述位置传感器（8-3）用于感应所述多晶硅锭（3）的直径，根据直径变化来调整电磁约束熔炼器的位置。

4.如权利要求2所述的提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：与每个所述电磁约束熔炼器相对的位置设置有一个厚度探测器，所述厚度探测器用于控制所述电磁约束熔炼器形成的区域熔炼熔池的大小，从下到上分别为与电磁约束熔炼器a（14）相对应的厚度探测器a（15）、与电磁约束熔炼器b（12）相对应的厚度探测器b（13）、与电磁约束熔炼器c（10）相对应的厚度探测器c（11）以及与电磁约束熔炼器d（8）相对应的厚度探测器d（9）。

5.如权利要求2所述的提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：所述电磁约束熔炼器包括区域熔炼线圈（8-1）、线圈绝缘支撑（8-4）以及电磁约束熔炼器运动杆（8-2），所述区域熔炼线圈（8-1）通过所述线圈绝缘支撑（8-4）进行支撑并进行绝缘隔离，所述运动杆水平设置，且所述运动杆的一端位于所述炉体（21）内，所述运动杆的另一端位于所述炉体（21）外，位于所述炉体（21）内的所述运动杆的一端与所述线圈绝缘支撑（8-4）固定连接。

6.如权利要求5所述的提纯太阳能级多晶硅的装置，其特征在于：所述线圈绝缘支撑（8-4）的整体为在其侧壁上设置有上下方向延伸的开口的筒状结构，所述绝缘支撑的横截面的圆心角大于180°且小于225°。