[发明专利]一种半导体激光器封装结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体激光器封装结构，其特征在于：包括基础热沉(1)，所述基础热沉(1)上设置有辅助热沉，所述辅助热沉包括第一石墨热沉(2)和第二石墨热沉(3)，所述第一石墨热沉(2)与所述第二石墨热沉(3)之间设置有过渡热沉(4)，所述过渡热沉(4)为铜化钨热沉，所述基础热沉(1)为铜热沉，所述第一石墨热沉(2)、所述第二石墨热沉(3)与所述过渡热沉(4)共同焊接到所述基础热沉(1)上表面；所述过渡热沉(4)上设置有半导体激光器(5)，所述半导体激光器(5)与所述过渡热沉(4)焊接；所述半导体激光器(5)通过金丝组件(6)与电极(7)相连接。

2.如权利要求1所述的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述基础热沉(1)上设置有辅助热沉，所述辅助热沉与所述基础热沉(1)焊接，所述辅助热沉包括第一石墨热沉(2)和第二石墨热沉(3)，所述第一石墨热沉(2)与所述第二石墨热沉(3)之间设置有过渡热沉(4)，所述第一石墨热沉(2)与所述过渡热沉(4)焊接，所述过渡热沉(4)与所述第二石墨热沉(3)焊接。

3.如权利要求1或者2所述的半导体激光器封装结构，其特征在于：所述半导体激光器(5)为边发射式单管半导体激光器，所述边发射式单管半导体激光器采用c-mount封装结构。

4.一种根据权利要求1～3中任一项所述的半导体激光器封装结构的制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

1)对基础热沉进行清洗后保持干燥；

2)对辅助热沉进行表面金属化处理；

3)将处理好的辅助热沉和过渡热沉进行焊接；

4)在基础热沉上形成第一焊料层，将相互的焊接过渡热沉和辅助热沉放置于第一焊料层上进行焊接；所述方法还包括：

在过渡热沉上形成第二焊料层，将固定半导体激光器放置于所述第二焊料层上进行焊接；

焊接好的半导体激光器温度降低到室温后，使用金丝键合机，将半导体激光器上表面和电极上表面采用金丝组件连接。

5.如权利要求4所述的半导体激光器封装结构的制备方法，其特征在于：所述辅助热沉与所述过渡热沉通过金锡焊料紧密连接。

6.如权利要求4所述的半导体激光器封装结构的制备方法，其特征在于：所述第二焊料层通过热蒸发或电子束蒸发工艺制备。