[发明专利]一种高亮度发光二极管外延片及其制备方法在审

申请号：	201810833970.8	申请日：	2018-07-26
公开（公告）号：	CN110767782A	公开（公告）日：	2020-02-07
发明（设计）人：	谢丁生;谢红	申请（专利权）人：	上海亚曼光电科技有限公司
主分类号：	H01L33/06	分类号：	H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00
代理公司：	31297 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙)	代理人：	赵霞
地址：	201306 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	氮化镓层缓冲层高亮度发光二极管空穴生长生长阶段外延片衬底非掺杂氮化镓层退火发光二极管非辐射复合抗静电能力低温生长发光效率高温生长交替生长量子阱层第一层迁移率发光复合
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【权利要求书】：

1.一种高亮度发光二极管外延片，其特征在于，包括衬底、沿所述衬底的表面依次生长的缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层及P型层，所述缓冲层包括交替生长的第一氮化镓层与第二氮化镓层，所述缓冲层的第一层与最后一层均为第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的生长温度低于第二氮化镓层的生长温度，所述P型层的生长包括至少2个生长阶段，所述每个生长阶段均包括高温生长、退火降温及低温生长的过程。

2.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管外延片，其特征在于：所述第二氮化镓层的厚度小于相邻的第一氮化镓层的厚度。

3.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管外延片，其特征在于：所述P型层中每个生长阶段对应的厚度均相同。

4.如权利要求1所述的一种高亮度发光二极管外延片，其特征在于：所述P型层中每个生长阶段对应的厚度均不同。

5.一种高亮度发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

获取衬底；

沿衬底的表面依次生长缓冲层、非掺杂氮化镓层、N型层、量子阱层及P型层；

所述缓冲层包括交替生长的第一氮化镓层与第二氮化镓层，所述缓冲层的第一层与最后一层均为第一氮化镓层，所述第一氮化镓层的生长温度低于第二氮化镓层的生长温度；

所述P型层的生长包括至少2个生长阶段，每个生长阶段均包括高温生长、退火降温及低温生长的过程。

6.如权利要求5所述的一种高亮度发光二极管外延片的制备方法，其特征在于：所述P型层的每个生长阶段的操作步骤如下：获取P型层的当前生长温度及生长厚度，当生长厚度达到预设值时，按照设定的升温速率进行升温或按照设定的降温速率进行降温。

7.如权利要求6所述的一种高亮度发光二极管外延片的制备方法，其特征在于：所述升温速率为60-90摄氏度/分钟；所述降温速率为60-90摄氏度/分钟。

8.如权利要求5所述的一种高亮度发光二极管外延片的制备方法，其特征在于：所述第二氮化镓层的生长温度比与其相邻的第一氮化镓层的生长温度高30-115摄氏度。

9.如权利要求5所述的一种高亮度发光二极管外延片的制备方法，其特征在于：所述第一氮化镓层的生长温度沿外延片的生长方向逐渐升高，所述第二氮化镓层的生长温度沿所述外延片的生长方向逐渐升高。