[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

变化检测电路，其被配置为生成具有根据晶体管的变化而改变的电压电平的检测电压；以及

变化确定电路，其被配置为基于所述检测电压的所述电压电平使能多个确定信号中的任何一个，

其中，所述变化检测电路根据工艺、电压和温度变化检测所述晶体管的变化量，以生成所述检测电压；

其中，所述变化检测电路包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和第二晶体管串联，并且根据所述工艺、电压和温度变化，所述第一晶体管的变化量与所述第二晶体管的变化量不同。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管是相同类型的。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管都是N沟道金属氧化物半导体晶体管。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述检测电压的所述电压电平根据所述第一晶体管和所述第二晶体管的所述变化量而改变。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道宽度和不同的沟道长度。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道宽度或不同的沟道长度。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道长度和大体上相同的沟道宽度。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管具有不同的沟道宽度和大体上相同的沟道长度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述变化确定电路将所述检测电压的所述电压电平与多个目标电压进行比较，以使能所述确定信号中的任何一个。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述变化确定电路包括：

目标电压生成电路，其被配置为生成所述目标电压；

多个比较电路，其被配置为将所述检测电压与所述目标电压进行比较，以生成多个比较信号；以及

解码电路，其被配置为将所述比较信号解码以使能任何一个所述确定信号。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中，所述目标电压生成电路分配外部电压以生成具有不同电平的所述目标电压。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述目标电压的第一目标电压高于所述目标电压的第二目标电压。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，

其中，所述比较电路的第一比较电路将所述检测电压与所述第一目标电压进行比较，以及

其中，所述比较电路的第二比较电路将所述检测电压与所述第二目标电压进行比较。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，

其中，当所述检测电压高于所述第一目标电压时，所述第一比较电路使能所述比较信号的第一比较信号，而当所述检测电压低于所述第一目标电压时，所述第一比较电路禁止所述第一比较信号；以及

其中，当所述检测电压高于所述第二目标电压时，所述第二比较电路使能所述比较信号的第二比较信号，而当所述检测电压低于所述第二目标电压时，所述第二比较电路禁止所述第二比较信号。