[发明专利]对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器在审
申请号: | 201810834572.8 | 申请日: | 2018-07-26 |
公开(公告)号: | CN110034037A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 金镇泰;梁会昌 | 申请(专利权)人: | 机体爱思艾姆有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;张迪 |
地址: | 韩国光*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 静电传感器 晶圆 距离信息 间隙检测传感器 喷头 基板外壳 腔室内部 电容 腔室 电源供应部 间隙信息 组件供应 检测 电源 | ||
1.一种对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于,包括:
基板外壳,以晶圆形状构成;
静电传感器组件,包括与上述基板外壳相互间隔一定距离安装的第1静电传感器部以及第2静电传感器部;
电源供应部,用于向上述静电传感器组件供应电源;以及,
控制部,以从上述第1静电传感器部获取到的第1电容值为基础获取第1静电传感器部与腔室内部喷头之间的第1距离信息,以从上述第2静电传感器部获取到的第2电容值为基础获取第2静电传感器部与腔室内部喷头之间的第2距离信息,并以上述第1距离信息以及上述第2距离信息为基础生成间隙信息。
2.根据权利要求1所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述静电传感器组件,
包括与上述第1静电传感器部以及上述第2静电传感器部间隔一定距离安装的第3静电传感器部,
上述第1静电传感器部至第3静电传感器部,
以上述基板外壳的中心点为中心以构成正三角形的形态进行配置。
3.根据权利要求2所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述第1静电传感器部至第3静电传感器部,采用相同的形态,
上述第1静电传感器部,
采用同心圆形状。
4.根据权利要求3所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述第1静电传感器部,包括:
主电场用电极,向上述喷头生成主电场;以及,
保护电场用电极,生成用于防止在上述主电场上生成干扰电场的保护电场。
5.根据权利要求4所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述主电场用电极,包括:
测定电极,在中心部以圆形进行配置;以及,
对向电极,与上述测定电极间隔一定距离并以同心圆形状安装。
6.根据权利要求5所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述保护电场用电极,包括:
第1保护电极,在上述测定电极以及上述对向电极之间以同心圆形状安装,生成用于防止在上述测定电极上生成的电场被直接传递到上述对向电极中的第1保护电场;以及,
第2保护电极,以围绕上述对向电极的周围的同心圆形状安装,生成用于防止在上述第1静电传感器部外部生成的电场被传递到上述对向电极中的第2保护电场。
7.根据权利要求4所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述主电场用电极以及上述保护电场用电极,
输出相同的方波频率。
8.根据权利要求1所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述基板外壳,在其内部空间形成对用于引入上述腔室内部的空气即外部气体的入口以及上述入口相反一侧的出口进行贯通的外部气体移动路径,
还包括:
发光部,配备于上述内部空间,用于向通过上述外部气体移动路径的上述外部气体照射检查光线;以及,
受光部,安装在形成于上述内部空间的上述外部气体移动路径上的受光槽中,对因为上述外部气体中所包含的微粒而在上述检查光线上发生散射的散射光线进行接收并生成与其相关的光量信息;
上述控制部,
以上述光量信息为基础生成上述外部气体中所包含的微粒相关的信息即微粒信息。
9.根据权利要求8所述的对晶圆腔室的间隙进行检测的晶圆式间隙检测传感器,其特征在于:
上述基板外壳,配备与上述外部气体移动路径在水平面上的一个位置形成交叉点的直线路径即发光路径,
上述静电传感器组件,
还包括第3静电传感器部以及第4静电传感器部,
上述第1静电传感器部至上述第4静电传感器部,
按照以上述基板外壳的中心点为中心形成正方形形状的方式分别配置在由上述外部气体移动路径和上述发光路径划分出的4个区域上,
上述控制部,
利用以上述第1静电传感器部至上述第4静电传感器部分别获取到的电容值为基础的距离信息生成上述间隙信息。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造