[发明专利]重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及重布线层

说明书

本发明提供了一种重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及半导体结构，首先在基底上形成第二介质层，再在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构，接着形成重布线层，所述重布线层覆盖部分所述第二介质层和所述多通孔结构中各通孔的内壁。由于在所述第二介质层中形成多个暴露出所述焊垫的多通孔结构，所述多通孔结构可以减弱所述多通孔结构内的介质层对重布线层的应力，进而避免了重布线开路，提高了封装的质量，使芯片的良率和可靠性进一步提升。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺技术领域，尤其涉及一种重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及半导体结构。

背景技术

晶圆级封装(Wafer Level Packaging，WLP)是芯片封装方式的一种，是将整片晶圆生产完成后，直接在晶圆上进行封装和测试，完成之后才切割制成单颗芯片，无需经过打线或填胶。晶圆级封装具有封装尺寸小和封装后电性能优良的优点，并且容易与晶圆制造和芯片组装兼容，可以简化晶圆制造到产品出货的过程，降低整体生产成本。

然而，在进行晶圆级封装工艺时，重布线层容易发生碎裂，进而导致芯片开路，使芯片的良率和可靠性降低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种重布线层的制造方法、晶圆级封装方法及半导体结构，以解决现有技术中的重布线层容易发生碎裂，造成封装产生缺陷等问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种重布线层的制造方法，所述重布线层的制造方法包括：

提供基底，所述基底上形成有第一介质层及位于所述第一介质层中的多个焊垫；

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层，所述第二介质层中形成有多个多通孔结构，一个所述多通孔结构暴露出一个所述焊垫；及

形成重布线层，所述重布线层覆盖所述多通孔结构中各通孔的内壁并延伸覆盖部分所述第二介质层。

可选的，所述多通孔结构中的多个通孔呈一行排列，每个所述通孔在行方向上的截面宽度小于等于5微米。

可选的，形成所述第二介质层之后，所述重布线层的制造方法还包括：

形成第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述多通孔结构的内壁并延伸覆盖所述第二介质层。

可选的，形成所述重布线层的步骤包括：

在所述第一钝化层上形成绝缘层，所述绝缘层暴露出所述多通孔结构及部分所述第一钝化层；

以所述绝缘层为掩膜，形成重布线层，所述重布线层覆盖所述多通孔结构中各通孔的内壁并延伸覆盖部分所述第一钝化层；

去除所述绝缘层。

可选的，所述重布线层包括多条金属线，多条所述金属线呈多行排列，一条所述金属线对应至少一个所述多通孔结构。

可选的，形成所述重布线层之后，所述重布线层的制造方法还包括：

形成第三介质层，所述第三介质层覆盖所述重布线层及所述第一钝化层并填充所述多通孔结构；

在每个所述多通孔结构两侧的第三介质层中形成第一沟槽，所述第一沟槽暴露出部分所述金属线；

形成第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述第一沟槽的内壁并延伸覆盖所述第三介质层。

可选的，所述第一沟槽沿着行方向的截面宽度小于等于3微米。

可选的，每个所述多通孔结构两侧的第一沟槽的数量相同。

可选的，所述第二介质层的材料与所述第三介质层的材料相同。