[发明专利]光刻方法、刻蚀方法及半导体结构

权利要求书

1.一种光刻方法，其特征在于，所述光刻方法包括如下步骤：

1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；

2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；

3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；及

4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形。

2.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层全面覆盖所述有效区域及所述边缘区域，所述第二光刻胶层包括负性光刻胶层；

2-2)避开所述有效区域的曝光，对所述畸零区上的所述第二光刻胶层进行曝光；及

2-3)将曝光后的所述第二光刻胶层进行显影，位于所述有效区域上的所述第二光刻胶层被去除，而位于所述畸零区上的所述第二光刻胶层被保留，以作为所述牺牲阻挡层。

3.根据权利要求2所述的光刻方法，其特征在于，步骤3)中，形成的所述第一光刻胶层包括正性光刻胶层。

4.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤4)中，使用浸润式光刻设备对所述芯片区和所述畸零区上的所述第一光刻胶层进行全晶圆曝光及显影。

5.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤1)中提供的所述晶圆表面形成有电容器多晶硅层，所述电容器多晶硅层覆盖所述有效区域及所述边缘区域；所述牺牲阻挡层位于所述边缘区域内的所述电容器多晶硅层上，所述第一光刻胶层位于所述有效区域内的所述电容器多晶硅层上以及在所述边缘区域内的所述牺牲阻挡层上。

6.根据权利要求1所述的光刻方法，其特征在于，步骤2)与步骤3)之间还包括如下步骤：于步骤2)所得结构的表面形成抗反射涂层，所述抗反射涂层覆盖所述有效区域及在所述边缘区域上的所述牺牲阻挡层；步骤3)中，所述第一光刻胶层覆盖于所述抗反射涂层的上表面。

7.一种刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括如下步骤：

1)提供一晶圆，所述晶圆包括有效区域及排列在所述有效区域外围的边缘区域；所述有效区域内包括若干个间隔分布的芯片区以及所述芯片区之间的第一切割道，所述边缘区域内包括若干个间隔分布的畸零区以及所述畸零区之间的第二切割道，所述芯片区和所述畸零区之间形成有第三切割道；

2)于所述晶圆上形成牺牲阻挡层，所述牺牲阻挡层覆盖所述边缘区域的所述畸零区及至少一所述第二切割道；

3)于步骤2)所得结构的上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层连续式覆盖所述有效区域及所述边缘区域上所述牺牲阻挡层；

4)进行晶圆曝光及显影，以将所述第一光刻胶层进行图形化处理；显影后，保留所述牺牲阻挡层的覆盖图形；及

5)依据图形化处理后的所述第一光刻胶层对所述晶圆进行刻蚀，以将图形化处理后的所述第一光刻胶层内的待转置图形转移至所述有效区域内。

8.根据权利要求7所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤2)包括如下步骤：

2-1)于所述晶圆上形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层全面覆盖所述有效区域及所述边缘区域，所述第二光刻胶层包括负性光刻胶层；

2-2)避开所述有效区域的曝光，对所述畸零区上的所述第二光刻胶层进行曝光；及

2-3)将曝光后的所述第二光刻胶层进行显影，位于所述有效区域上的所述第二光刻胶层被去除，而位于所述畸零区上的所述第二光刻胶层被保留，以作为所述牺牲阻挡层。

9.根据权利要求8所述的刻蚀方法，其特征在于，步骤3)中，形成的所述第一光刻胶层包括正性光刻胶层。