[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201810837308.X | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN109103105A | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;杨凤云 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 王宁 |
| 地址： | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 掺杂非晶硅层 栅极绝缘层 非晶硅层 显示装置 基板 源漏极金属层 制备 图像残留 硅源 刻蚀 漏极 源极 掺杂 覆盖 制造 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
在所述基板上形成栅极；
在所述基板上形成栅极绝缘层，使所述栅极绝缘层覆盖所述栅极；
在所述栅极绝缘层上形成非晶硅层；
在所述非晶硅层上形成N+型掺杂非晶硅层；其中，控制掺杂气与硅源的比例为0.82～1.54或者1.74～4.1；
在所述N+型掺杂非晶硅层上形成源漏极金属层；以及
对所述源漏极金属层、所述N+型掺杂非晶硅层和所述非晶硅层进行刻蚀，以得到源极和漏极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂气与硅源的比例为0.82～1.23或者2.46～4.1。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂气与硅源的比例为2.46～2.79或者3.28～4.1。
4.根据权利要求1～3任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述掺杂气为磷化氢，所述硅源为硅烷。
5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述非晶硅层上形成N+型掺杂非晶硅层的步骤中，会通入稀释气体；所述稀释气体的流量为24000毫升每分钟～25000毫升每分钟；所述硅源的流量为6200毫升每分钟～7200毫升每分钟。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在所述非晶硅层上形成N+型掺杂非晶硅层的步骤中，采用等离子增强气相化学沉积法在所述非晶硅层上形成所述N+型掺杂非晶硅层。
7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述对所述源漏极金属层、所述N+型掺杂非晶硅层和所述非晶硅层进行刻蚀的步骤为：
在所述源漏极金属层上形成图案化的光阻层；以及
以所述光阻层为掩膜采用两道湿法刻蚀和两道干法刻蚀工艺对所述源漏极金属层、所述N+型掺杂非晶硅层和所述非晶硅层进行刻蚀；其中，在第二道干法刻蚀中，控制射频源功率为2千瓦～5千瓦，射频偏置功率为7千瓦～3千瓦，刻蚀时间为35秒～50秒,沟道区上方的半导体层厚度为400埃～700埃。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在第二道干法刻蚀中，刻蚀气体包括氯气和六氟化硫，氯气和六氟化硫的比例为1:20～1:50。
9.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的栅极；
形成于所述基板上且覆盖所述栅极的栅极绝缘层；
形成于所述栅极绝缘层上的非晶硅层；
形成于所述非晶硅层上的N+型掺杂非晶硅层；以及
形成于所述栅极绝缘层上与所述非晶硅层和所述N+型掺杂非晶硅层的两侧相接触的源极和漏极；
其中，所述N+型掺杂非晶硅层采用比例为0.82～1.54或者1.74～4.1的掺杂气和硅烷制备而成。
10.一种显示装置，包括显示面板，其特征在于，所述显示面板中的阵列基板包括如权利要求9所述的薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
