[发明专利]一种非挥发性存储器(NVM)自适应参考电流的产生方法在审
| 申请号： | 201810839427.9 | 申请日： | 2018-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN109192236A | 公开（公告）日： | 2019-01-11 |
| 发明（设计）人： | 张永平 | 申请（专利权）人： | 深圳市泰芯微科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 深圳市徽正知识产权代理有限公司 44405 | 代理人： | 李想 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 参考电流 自适应 非挥发性存储器 产生电路 冗余存储单元 存储单元 控制电路 电流比较电路 工作环境变化 储存单元 冗余单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种非挥发性存储器自适应参考电流的产生方法，其特征在于：NVM自适应参考电流的产生电路包括NVM存储单元和基于NVM存储单元的控制电路。
2.根据权利要求1所述的一种非挥发性存储器自适应参考电流的产生方法，其特征在于：NVM自适应参考电流的产生电路还包括NVM冗余存储单元和基于NVM冗余存储单元的控制电路。
3.根据权利要求1所述的一种非挥发性存储器自适应参考电流的产生方法，其特征在于：NVM自适应参考电流的产生电路还包括有电流比较输出电路。
4.根据权利要求1所述的一种非挥发性存储器自适应参考电流的产生方法，其特征在于：电流比较电路为NVM冗余存储单元输出的参考电流和实际使用的NVM单元的输出电流进行比较并输出比较结果的电路。
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