[发明专利]改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法

权利要求书

1.一种改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，定义SONOS器件区域，进行离子注入，形成深阱注入区；

第二步，退火修复离子注入造成的注入损伤；

第三步，牺牲层氧化层预清洗，去除SONOS器件区域的膜层，露出硅单质层；

第四步，使用含氢的氧化工艺形成牺牲层氧化层；

第五步，定义SONOS器件区域，使用铟进行离子注入，形成防穿通注入区和阈值电压调整注入区，所述防穿通注入区和阈值电压调整注入区的深度比所述深阱注入区的深度浅；

第六步，退火修复离子注入造成的注入损伤；

第七步，ONO层沉积预清洗，去除SONOS器件区域的膜层，露出硅单质层；

第八步，ONO层沉积，在整个晶圆表面沉积ONO膜层；

第九步，定义出非SONOS器件区域，去除非SONOS器件区域内的ONO膜层；

第十步，多晶硅栅极沉积和刻蚀，定义出SONOS器件的栅极；

第十一步，SONOS器件源漏延伸和源漏注入，源漏退火。

2.根据权利要求1所述的改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，在第三步中，去除的SONOS器件区域膜层为衬垫氧化层。

3.根据权利要求1所述的改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，在第四步中，含氢的氧化工艺为原位水汽生成ISSG者低压基氧化LPRO。

4.根据权利要求1所述的改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，在第四步中，所述牺牲层氧化层形成于SONOS器件区域上方。

5.根据权利要求1所述的改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，在第四步中，所述牺牲层氧化层的厚度为30埃～150埃。

6.根据权利要求1所述的改善N型SONOS器件阈值电压均一性的方法，其特征在于，在第七步中，去除的SONOS器件区域膜层为牺牲层氧化层。